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실리콘의 탈린방법

  • 기술번호 : KST2015107470
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 중 인 제거방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래에 비하여 향상된 효율을 가지는 실리콘의 탈린방법에 관한 것이다.본 발명의 탈린 방법은 실리콘 용탕에 칼슘을 첨가하는 단계; 상기 칼슘이 첨가된 실리콘 용탕을 응고시켜서 실리콘 잉곳을 얻는 단계; 상기 실리콘 잉곳을 파쇄하여 분 실리콘을 얻는 단계; 상기 분 실리콘을 산으로 세척하는 단계; 및 상기 세척된 분 실리콘을 일방향 응고하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C30B 11/00 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) C01B 33/037 (2006.01)
CPC C01B 33/037(2013.01) C01B 33/037(2013.01) C01B 33/037(2013.01) C01B 33/037(2013.01)
출원번호/일자 1020110142533 (2011.12.26)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0074464 (2013.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석성호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박준표 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김성욱 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김종호 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 이병필 대한민국 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1034714-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0013600-84
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0520076-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0888173-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0888175-05
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0132318-43
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 용탕에 칼슘을 첨가하는 단계; 상기 칼슘이 첨가된 실리콘 용탕을 응고시켜서 실리콘 잉곳을 얻는 단계; 상기 실리콘 잉곳을 파쇄하여 분 실리콘을 얻는 단계; 상기 분 실리콘을 산으로 세척하는 단계; 및 상기 세척된 분 실리콘을 일방향 응고하는 단계를 포함하는 실리콘의 탈린방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 칼슘이 첨가된 용탕 중 칼슘의 함량은 3~10중량%인 실리콘의 탈린방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 칼슘이 첨가된 용탕 중 칼슘의 함량은 5~8중량%인 실리콘의 탈린방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 분 실리콘의 입도는 0
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 산의 pH는 2~5인 실리콘의 탈린방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 용탕의 응고속도는 0
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 용탕은열탄소환원법에 의해 얻어진 실리콘 용탕에 플럭스를 첨가하여 실리콘 용탕의 상부에 CaO: 40~60중량%, SiO2: 40~60중량%, Al2O3: 15중량% 이하인 조성의 슬래그를 형성하는 단계에 의해 불순물이 제거된 거친 것인 실리콘의 탈린방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 실리콘 용탕은 1450~1600℃의 온도범위에서 유지되는 실리콘의 탈린방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 실리콘 용탕의 상부에 슬래그를 형성하는 단계 이전에, 상기 실리콘 용탕을 1450~1600℃의 온도에서 1~5시간 유지하는 단계를 더 포함하는 실리콘의 탈린방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.