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인듐-갈륨-아연계 산화물의 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015107696
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법에 관한 것으로, 산화인듐(In2O3), 산화갈륨(Ga2O3) 및 산화아연(ZnO) 분말을 1차 분쇄하고, 1차 분쇄된 분말을 1000℃ 이하의 온도에서 하소처리하며, 하소처리된 분말을 2차 분쇄하여, 2차 분쇄된 분말을 구형화하거나 분급(sieving)한 다음 구형화 또는 분급된 분말을 몰드에 충진하여 압축 성형 및 소결하되, 상기 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연의 조성은 몰비로 0.5 ≤ ZnO/(In2O3 + Ga2O3 + ZnO) ≤ 0.95를 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 스퍼터링 타겟이 개시된다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) B22F 3/12 (2006.01)
CPC C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01)
출원번호/일자 1020120119140 (2012.10.25)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0056449 (2014.05.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김주영 대한민국 경북 포항시 남구
2 이영주 대한민국 경북 포항시 남구
3 오윤석 대한민국 경북 포항시 남구
4 양혁 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0872569-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.27 수리 (Accepted) 9-1-2013-0072771-99
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0079641-08
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0321649-82
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0321650-28
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0489001-58
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0785175-02
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.08.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0785176-47
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0606860-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화인듐(In2O3), 산화갈륨(Ga2O3) 및 산화아연(ZnO) 분말을 1차 분쇄하는 단계;1차 분쇄된 분말을 1000℃ 이하의 온도에서 하소처리하는 단계;하소처리된 분말을 2차 분쇄하는 단계;2차 분쇄된 분말을 구형화하거나 분급(sieving)하는 단계; 구형화 또는 분급된 분말을 몰드에 충진하여 압축 성형하는 단계; 및 압축 성형된 성형체를 소결하는 단계를 포함하되, 상기 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연의 조성은 몰비로 하기 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 2차 분쇄하는 단계는 Ba2O3, GeO2 또는 B2O3로부터 선택되는 하나 이상의 첨가물을 첨가하는 단계를 포함하거나, 2차 분쇄 후 구상화 또는 분급하는 단계 이전에 SnO 또는 Al2O3 분말로부터 선택되는 하나 이상의 첨가물을 첨가하는 단계를 포함하는 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 첨가물은 인듐-갈륨-아연계 산화물에 대하여 0
4 4
제1항에 있어서,상기 1차 분쇄하는 단계에서는,상기 산화인듐, 산화갈륨을 1㎛이하로 분쇄하고, 산화아연을 0
5 5
제1항에 있어서,상기 하소처리하는 단계는 1~3시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 2차 분쇄하는 단계에서는, 하소된 분말의 평균입도의 크기가 1㎛이하가 되도록 분쇄하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 분급하는 단계는, 2차 분쇄된 분말 중 50㎛이상의 분말을 제거하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 소결하는 단계는 1400℃이하의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟의 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 의해 제조되는 인듐-갈륨-아연계 산화물 스퍼터링 타겟
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.