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용융된 실리콘 내의 불순물을 제거하여 고순도의 실리콘을 제조하는 방법으로서,슬래그와의 반응을 통하여 상기 용융된 실리콘의 성분을 안정화시키는 단계;상기 슬래그와 반응한 용융된 실리콘을 냉각시켜서 인과 칼슘을 농축시키는 조직 제어 단계; 및상기 냉각된 실리콘에 무기산을 혼합하여 상기 농축된 인과 칼슘을 제거하는 산 처리 단계를 포함하되,상기 조직 제어 단계에서 상기 용융된 실리콘에 칼슘을 첨가하는, 고순도 실리콘의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 인과 칼슘이 제거된 실리콘에 플라즈마를 조사하여 붕소를 제거하는 단계를 더 포함하는, 고순도 실리콘의 제조 방법
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제 2항에 있어서,상기 붕소가 제거된 실리콘에서 일방향 응고를 통하여 금속 원소를 제거하는 단계를 더 포함하는, 고순도 실리콘의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 성분 안정화 단계는,상기 슬래그는 탄산 칼슘과 이산화 규소를 포함하며,상기 실리콘의 용융 온도는 1450°C 이상으로 조절되는, 고순도 실리콘의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 조직 제어 단계는,상기 용융 실리콘의 중량의 3% 이상 10% 이하 중량의 칼슘을 첨가하는, 고순도 실리콘의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 조직 제어 단계는,0
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제 1항에 있어서,상기 산 처리 단계는,상기 냉각된 실리콘을 파쇄하는 단계를 포함하는, 고순도 실리콘의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 무기산은 염산, 질산, 불산 중 적어도 하나를 포함하는, 고순도 실리콘의 제조 방법
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용융된 실리콘 내의 불순물을 제거하여 고순도의 실리콘을 제조하는 시스템으로서,실리콘을 용융하여 냉각시키는 가열 장치를 포함하며, 용융된 실리콘을 냉각시킴으로써 불순물을 농축시키는 용융 제어부; 및상기 용융 제어부에서 냉각된 실리콘에 무기산을 혼합하는 산 처리부를 포함하되, 상기 가열 장치는,상기 용융된 실리콘에 슬러지를 투입시키는 슬러지 투입 수단; 및 상기 용융된 실리콘에 칼슘 성분을 첨가하는 칼슘 투입 수단을 포함하는, 고순도 실리콘 제조 시스템
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제 9항에 있어서,상기 산 처리부를 통과한 실리콘으로부터 붕소를 제거하는 플라즈마 조사부; 및상기 플라즈마 조사부를 통과한 실리콘으로부터 금속 원소를 제거하기 위한 금속 제거부를 더 포함하는, 고순도 실리콘 제조 시스템
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제 9항에 있어서,상기 산 처리부는,상기 용융 제어부에서 냉각된 실리콘을 파쇄하는 파쇄기; 및상기 파쇄된 실리콘과 상기 무기산을 혼합하는 혼합기를 포함하는, 고순도 실리콘 제조 시스템
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