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산화막이 형성된 탄화규소(SiC) 기판 상에 형성된 산화막의 결함을 분석하기 위한 장치에 있어서,용기;상기 용기 내부에 배치되며, 상기 기판이 장착될 수 있는 플레이트;상기 용기 내부에 배치되며, 상기 플레이트 상부에 이격되어 설치되며 금속으로 이루어진 희생금속; 및상기 플레이트와 상기 희생금속에 각각 접속된 음극 접속 단자 및 양극 접속 단자를 포함하며,상기 용기 내부에 전해질 용액이 채워지고, 상기 음극 접속 단자 및 양극 접속 단자를 통해 직류 전압을 인가함에 따라 상기 기판의 산화막 상에 희생금속이 코팅되는 희생금속 코팅 장치
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제 1 항에서,상기 전해질 용액은 메탄올을 이용하는 희생금속 코팅 장치
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제 1 항에서,상기 희생금속은 구리(Cu), 철(Fe) 또는 크롬(Cr) 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 희생금속 코팅 장치
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제 1 항에서,상기 용기는 테플론(Teflon)을 이용하여 형성된 희생금속 코팅 장치
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제 1 항에서,상기 플레이트는 구리(Cu)를 이용하여 형성된 희생금속 코팅 장치
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제 1 항에서,상기 희생금속과 상기 플레이트의 간격은 상기 플레이트 상에 장착되는 기판의 상면과 상기 희생금속의 하면이 1mm 내지 10mm의 간격을 갖도록 형성되는 희생금속 코팅 장치
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제 1 항에서,상기 플레이트에 접속되는 음극 접속 단자는 니켈(Ni) 옴믹(Ohmic) 접합으로 형성되는 희생금속 코팅 장치
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용기와, 상기 용기 내부에 배치되는 플레이트와, 상기 용기 내부에 배치되며, 상기 플레이트 상부에 이격되어 설치되며 금속으로 이루어진 희생금속, 및 상기 플레이트와 상기 희생금속에 각각 접속된 음극 접속 단자 및 양극 접속 단자를 포함하는 희생금속 코팅 장치를 이용하여 탄화규소(SiC) 기판의 산화막 표면에 희생금속을 코팅하고 산화막 표면 결함을 분석하는 방법에 있어서,상기 산화막이 형성된 탄화규소(SiC) 기판을 상기 플레이트에 장착하는 단계;상기 용기 내부에 전해질 용액을 충진하는 단계;상기 희생금속과 플레이트에 외부 전압을 인가하는 단계;상기 탄화규소 기판을 상기 플레이트로부터 탈착하는 단계;순수를 사용하여 상기 탄화규소 기판을 세정하고 건조하는 단계; 및상기 탄화규소 기판의 산화막 표면의 결함을 관찰하고 분석하는 단계를 포함하는 산화막 표면 결함 분석 방법
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제 8 항에서, 상기 전해질 용액은 메탄올을 이용하는 산화막 표면 결함 분석 방법
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제 8 항에서,상기 희생금속은 구리(Cu), 철(Fe) 또는 크롬(Cr) 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 산화막 표면 결함 분석 방법
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제 8 항에서,상기 용기는 테플론(Teflon)을 이용하여 형성된 산화막 표면 결함 분석 방법
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제 8 항에서,상기 플레이트는 구리(Cu)를 이용하여 형성된 산화막 표면 결함 분석 방법
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제 8 항에서,상기 희생금속과 상기 플레이트의 간격은 상기 플레이트 상에 장착되는 기판의 상면과 상기 희생금속의 하면이 1mm 내지 10mm의 간격을 갖도록 형성되는 산화막 표면 결함 분석 방법
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제 8 항에서,상기 플레이트에 접속되는 음극 접속 단자는 니켈(Ni) 옴믹(Ohmic) 접합으로 형성되는 산화막 표면 결함 분석 방법
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제 8 항에서,상기 플레이트와 희생금속에는, 상기 산화막에 5 MV/cm 내지 15 MV/cm 의 직류 전압이 인가되도록 전압을 인가하는 산화막 표면 결함 분석 방법
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제 15 항에서,상기 희생금속과 플레이트에 외부 전압을 인가하는 단계에서, 10분 내지 60분 동안 희생금속 코팅이 수행되는 산화막 표면 결함 분석 방법
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