| 1 |
1
아크 증착에 의해 경질피막을 제조하는 방법으로서,경질피막이 증착될 기재를 증착장치에 장착하고, 상기 증착장치 내로 불활성 가스와 반응가스를 주입하고, 상기 반응가스의 유량과 상기 증착장치 내의 압력을 조절한 상태에서, 아크 소스를 이용하여 플라즈마 이온을 생성하고, 상기 기재에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마 이온을 상기 기재의 표면에 충돌시켜 상기 기재의 표면을 청정함과 동시에 상기 기재 상에 제1 피막을 형성하고,상기 기재에 인가된 바이어스 전압을 낮추어 상기 제1 피막 상에 제2 피막을 형성하는,경질피막의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 증착장치는 음극 아크 소스가 장착된 아크 증착장치인, 경질피막의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 피막은 TiAlN로 구성된 경질 코팅층인, 경질피막의 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,Ti-Al 합금 타겟을 사용하는, 경질피막의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제2 피막은 상기 기재의 성분과 상기 제2 피막의 성분이 혼합되어 구성된 혼합층인, 경질피막의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 불활성 가스는 아르곤 가스를 포함하고, 상기 반응가스는 질소 가스를 포함하는, 경질피막의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,질소 가스가 타겟과 반응하여 타겟을 질화시키도록 질소 가스의 압력을 조절하는, 경질피막의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 증착장치의 진공실 내로 주입되는 질소 가스의 유량이 30 SCCM 이상인, 경질피막의 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 진공장치의 진공실 내의 압력이 10 mTorr 이상으로 조절되는, 경질피막의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 기재의 청정 및 제1 피막의 형성을 위해 400 V이상의 인가되는 바이어스 전압이 인가되는, 경질피막의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 기재의 청정 및 제1 피막의 형성 후, 상기 제2 피막의 형성을 위해 상기 바이어스 전압을 200 V이하로 낮추는, 경질피막의 제조방법
|
| 12 |
12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기재는 금속 또는 세라믹 소재의 공구, 금형 또는 기계 부품인, 경질피막의 제조방법
|
