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SiC 단결정 성장 장치

  • 기술번호 : KST2015108103
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 SiC 단결정 성장 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 단결정 원료 물질이 장입되는 내부 공간이 마련된 도가니, 상기 도가니의 외측에 제공되고, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재, 상기 단열재의 외부에 제공되고, 상기 도가니 및 상기 단열재를 둘러싸는 석영관, 종자정이 부착되는 종자정 받침대, 및 상기 석영관 외부에 마련되어 상기 도가니를 가열하기 위한 가열수단을 포함하고, 상기 단열재는 상기 도가니 내부의 온도 분포를 균일하게 제어하기 위한 온도 분포 제어부를 포함한다.
Int. CL C30B 13/20 (2006.01.01) C30B 29/36 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) C30B 35/00 (2006.01.01)
CPC C30B 13/20(2013.01) C30B 13/20(2013.01) C30B 13/20(2013.01) C30B 13/20(2013.01)
출원번호/일자 1020130150927 (2013.12.05)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-2163488-0000 (2020.09.29)
공개번호/일자 10-2015-0066014 (2015.06.16) 문서열기
공고번호/일자 (20201007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
2 김흥락 대한민국 경북 포항시 남구
3 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
4 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
5 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
6 서한석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-1116563-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788250-57
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1131638-06
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0028380-77
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0183097-28
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-0467797-17
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0467798-52
11 등록결정서
Decision to grant
2020.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0472535-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정 원료 물질이 장입되는 내부 공간이 마련된 도가니,상기 도가니의 외측에 제공되고, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재,상기 단열재의 외부에 제공되고, 상기 도가니 및 상기 단열재를 둘러싸는 석영관,종자정이 부착되는 종자정 받침대, 및상기 석영관 외부에 마련되어 상기 도가니를 가열하기 위한 가열수단을 포함하고,상기 단열재는 상기 도가니 내부의 온도 분포를 균일하게 제어하기 위한 온도 분포 제어부를 포함하고, 상기 온도 분포 제어부는 상기 단열재의 일단부에 제공되고, 상기 단열재 일단부 두께를 변화시키기 위한 경사부로 이루어지는 SiC 단결정 성장 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 경사부는 상기 도가니의 상단부 또는 하단부를 감싸는 상기 단열재의 상단부 또는 하단부에 형성되는 SiC 단결정 성장 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 경사부는 상기 도가니의 폭방향 중앙부를 중심으로 상기 도가니의 가장자리로 갈수록 하향 또는 상향 경사지게 형성되는 SiC 단결정 성장 장치
5 5
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열수단은 상기 석영관 외부에 마련되며, 유도 가열 방식 또는 저항 가열 방식이 이용되는 SiC 단결정 성장 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술