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탄화규소(SiC) 단결정 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015108104
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄화규소 단결정 성장 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 도가니, 종자정, 종자정 받침대, 가열수단을 포함하는 탄화규소 단결정 성장 장치를 이용하여 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법에 있어서, 상기 도가니 내부에 원료 물질을 장입하는 원료 물질 장입 단계, 접착제를 이용하여 종자정을 종자정 받침대에 부착하는 종자정 부착 단계, 상기 종자정이 부착된 종자정 받침대를 탄화수소 단결정 성장 장치 내에 인입시켜 도가니 내부 상부에 장착하는 종자정 받침대 장착 단계, 상기 가열수단을 이용하여 도가니를 성장 온도로 가열하여, 상기 도가니 내에 장입된 원료 물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 단결정 성장 단계, 및 상기 단결정 성장 단계에서 단결정 초기 성장시 실리콘 과잉 상태인 도가니 내부에서 원료 물질과 반응하여 실리콘 과잉 분위기를 억제하기 위한 억제 가스를 공급하는 억제 가스 공급 단계를 포함한다.
Int. CL C30B 29/36 (2006.01) C30B 25/14 (2006.01) C30B 23/06 (2006.01)
CPC C30B 23/002(2013.01)C30B 23/002(2013.01)C30B 23/002(2013.01)C30B 23/002(2013.01)C30B 23/002(2013.01)
출원번호/일자 1020130150929 (2013.12.05)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1537385-0000 (2015.07.10)
공개번호/일자 10-2015-0066016 (2015.06.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150717) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
2 김흥락 대한민국 경북 포항시 남구
3 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
4 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
5 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
6 서한석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-1116565-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0056603-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0040825-34
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0266461-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0266460-60
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0375056-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788272-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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도가니, 종자정, 종자정 받침대, 가열수단을 포함하는 탄화규소 단결정 성장 장치를 이용하여 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법에 있어서,상기 도가니 내부에 원료 물질을 장입하는 원료 물질 장입 단계,접착제를 이용하여 종자정을 종자정 받침대에 부착하는 종자정 부착 단계,상기 종자정이 부착된 종자정 받침대를 탄화수소 단결정 성장 장치 내에 인입시켜 도가니 내부 상부에 장착하는 종자정 받침대 장착 단계,상기 가열수단을 이용하여 도가니를 성장 온도로 가열하여, 상기 도가니 내에 장입된 원료 물질을 승화시켜 단결정을 성장시키는 단결정 성장 단계, 및 상기 단결정 성장 단계에서 단결정 초기 성장시 실리콘 과잉 상태인 도가니 내부에서 원료 물질과 반응하여 실리콘 과잉 분위기를 억제하기 위한 억제 가스를 공급하는 억제 가스 공급 단계를 포함하고,상기 억제 가스는 단결정 초기 성장시 실리콘 과잉 상태에서 원료 물질과 반응하여 C2H2 또는 2C2H의 탄소 증기(vapor)를 추가 공급할 수 있는 수소 가스로 이루어지고,상기 억제 가스 공급 단계에서 상기 도가니 내부에 수소 가스만을 독립적으로 공급하거나 상기 도가니 내부에 공급되는 분위기 가스인 불활성 가스와 수소 가스를 혼합하여 공급하고,상기 도가니 내부에 억제 가스와 불활성 가스를 혼합하여 공급되는 경우, 상기 불활성 가스 대비 수소 가스의 비율은 5vol% 내지 10vol%인 탄화규소 단결정 성장 방법
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3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 억제 가스는 상기 단결정 성단 단계의 단결정 초기 성장 구간에서 2시간 내지 3시간 공급되는 탄화규소 단결정 성장 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 단결정 성장 단계에서 성장 온도는 대기압 상태에서 2000℃ 내지 2300℃인 탄화규소 단결정 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술