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화학적 기상 증착 장치에서 탄화 규소를 성장시키는 방법에 있어서,상기 화학적 기상 증착 장치의 챔버에 기판을 위치시키는 단계,상기 챔버 내에 수소를 공급하는 단계,상기 챔버 내의 온도를 승온하는 단계,상기 기판의 표면을 식각하는 단계,상기 기판에 도핑하여 버퍼층을 형성하는 단계,상기 챔버 내에 SiH4, C3H8, N2 를 공급하여 상기 버퍼층 위에 에피택셜 성장으로 탄화 규소층을 형성하는 단계,상기 챔버를 냉각하는 단계를 포함하고,상기 수소를 공급하는 단계는 상기 승온하는 단계, 식각하는 단계, 버퍼층을 형성하는 단계, 탄화규소층을 형성하는 단계 및 챔버를 냉각하는 단계와 함께 진행하며,상기 SiH4, C3H8의 C/Si의 비율은 1
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제1항에서,상기 탄화 규소층을 형성하는 단계에서,상기 챔버에 HCl을 더 공급하는 탄화 규소 기판의 제조 방법
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제2항에서,상기 챔버 내에 공급되는 가스의 Si/H의 비율은 0
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제1항에서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 상기 기판에 N2를 도핑하여 형성하는 탄화 규소 기판의 제조 방법
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제4항에서,상기 버퍼층은 상기 탄화 규소층과 동일한 도핑 농도로 도핑하여 형성하는 탄화 규소 기판의 제조 방법
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제5항에서,상기 버퍼층과 상기 탄화 규소층의 도핑 농도는 1E18/cm3인 탄화 규소 기판의 제조 방법
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제1항에서,상기 승온 하는 단계와 상기 식각하는 단계는 동시에 진행하는 탄화 규소 기판의 제조 방법
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제1항에서,상기 승온하는 단계는 1,550℃ 내지 1,650℃까지 승온하는 탄화 규소 기판의 제조 방법
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