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유황을 수용하도록 적용된 제1 케이스;상기 제1 케이스와 마주하도록 배치되며 나트륨을 수용하도록 적용된 제2 케이스; 및상기 제1 케이스와 상기 제2 케이스 사이에 설치되고 나트륨 이온을 선택적으로 이동시키는 전해질 플레이트;를 포함하고,상기 전해질 플레이트의 측단과 인접한 영역인 테두리부에는 상기 테두리부를 감싸는 베이스 실링층이 형성되고, 상기 베이스 실링층은 상기 전해질 플레이트의 측면과 상기 측면에 연결된 상면 및 하면을 감싸는 나트륨 유황 전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 케이스는 제1 커버 플레이트와 상기 제1 커버 플레이트에 고정된 제1 지지링을 포함하고, 상기 제2 케이스는 제2 커버 플레이트와 상기 제2 커버 플레이트에 고정된 제2 지지링을 포함하며,상기 테두리부는 상기 제1 지지링과 상기 제2 지지링 사이에 배치된 나트륨 유황 전지
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제2 항에 있어서,상기 제1 지지링과 상기 베이스 실링층 사이에는 제1 유리 접합층이 형성되며, 상기 제2 지지링과 상기 베이스 실링층 사이에는 제2 유리 접합층이 형성되고,상기 제1 유리 접합층 및 상기 제2 유리 접합층은 상기 베이스 실링층보다 더 큰 열 팽창률을 갖는 큰 나트륨 유황 전지
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제3 항에 있어서,상기 베이스 실링층과 상기 제1 유리 접합층 사이에는 완충 실링층이 형성되고, 상기 완충 실링층은 상기 베이스 실링층보다 더 큰 열 팽창률을 갖고, 상기 제1 유리 접합층보다 더 작은 열 팽창률을 갖는 나트륨 유황 전지
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제4 항에 있어서,상기 완충 실링층은 적층된 배치된 제1 완충 실링층, 제2 완충 실링층, 및 제3 완충 실링층을 포함하고, 상기 제1 완충 실링층은 상기 베이스 실링층과 맞닿도록 배치되고, 상기 제3 완충 실링층은 상기 유리 접합층과 맞닿도록 배치되며 상기 제2 완충 실링층은 상기 제1 완충 실링층과 상기 제3 완충 실링층 사이에 배치된 나트륨 유황 전지
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제5 항에 있어서,상기 제2 완충 실링층은 상기 제1 완충 실링층보다 더 큰 열 팽창률을 갖고, 상기 제3 완충 실링층보다 더 작은 열 팽창률을 갖는 나트륨 유황 전지
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7
전해질 플레이트의 테두리부에 베이스 실링층을 코팅하되, 상기 전해질 플레이트의 측면과 상기 측면에 이어진 상면과 하면에 베이스 실링층을 코팅하는 베이스 실링층 코팅 단계;상기 베이스 실링층의 상면과 하면에 상기 베이스 실링층보다 열 팽창률이 큰 완충 실링층을 형성하는 완충 실링층 형성 단계;상기 완충 실링층 상에 상기 완충 실링층보다 열 팽창률이 큰 유리 실링층을 형성하는 유리 접합층 형성 단계; 및상기 유리 실링층에 제1 케이스와 제2 케이스를 접합하는 접합 단계;를 포함하는 나트륨 유황 전지의 실링 방법
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8
제7 항에 있어서,상기 완충 실링층 형성 단계는 상기 베이스 실링층 상에 상기 베이스 실링층보다 더 큰 열 팽창률을 갖는 제1 완충 실링층을 형성하는 제1 완충 실링층 형성 단계와, 상기 제1 완충 실링층 상에 상기 제1 완충 실링층보다 열 팽창률이 큰 제2 완충 실링층을 형성하는 제2 완충 실링층 형성 단계와 상기 제2 완충 실링층 상에 상기 제2 완충 실링층보다 열 팽창률이 큰 제3 완충 실링층을 형성하는 제3 완충 실링층 형성 단계를 포함하는 나트륨 유황 전지의 실링 방법
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제8 항에 있어서,상기 완충 실링층 형성 단계는 상기 제1 완충 실링층, 상기 제2 완충 실링층, 및 상기 제3 완충 실링층을 테이프 캐스팅으로 형성하는 나트륨 유황 전지의 실링 방법
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