맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄화규소(SiC) 기판 평탄화 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015108234
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 SiC 기판의 연마 공정시 기판의 스크래치를 처리하여 표면 조도를 향상시킬 수 있도록, 탄화규소 기판의 표면 연마가 이루어지는 폴리싱정반과, 탄화규소 기판이 장착되고 상기 폴리싱정반 상에 탄화규소 기판을 가압 밀착시키는 폴리싱헤드, 상기 기판과 폴리싱정반 사이로 연마재를 공급하기 위한 연마재 공급라인을 포함하고, 상기 연마재 공급라인은 다이아몬드 입자와 세라믹 입자의 혼합물을 공급하는 구조의 탄화규소 기판 평탄화 장치를 제공한다.
Int. CL H01L 21/304 (2006.01) B24B 57/04 (2006.01)
CPC H01L 21/304(2013.01) H01L 21/304(2013.01) H01L 21/304(2013.01)
출원번호/일자 1020130164569 (2013.12.26)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0076436 (2015.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.26)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
2 김흥락 대한민국 경북 포항시 남구
3 이재윤 대한민국 경북 포항시 남구
4 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
5 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
6 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
7 서한석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1192626-38
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0310752-11
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0671234-47
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0671233-02
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0743672-90
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788255-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄화규소 기판의 표면 연마가 이루어지는 폴리싱정반과, 탄화규소 기판이 장착되고 상기 폴리싱정반 상에 탄화규소 기판을 가압 밀착시키는 폴리싱헤드, 상기 기판과 폴리싱정반 사이로 연마재를 공급하기 위한 연마재 공급라인을 포함하고,상기 연마재 공급라인은 다이아몬드 입자와 세라믹 입자의 혼합물을 공급하는 구조의 탄화규소 기판 평탄화 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 세라믹 입자는 다이아몬드 입자 크기에 대응되는 크기로 형성되는 탄화규소 기판 평탄화 장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 세라믹 입자는 혼합물에 대해 0
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세라믹 입자는 산화세륨(CeO2) 또는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3) 및 이산화티탄(TiO2)에서 선택되는 적어도 한 종 이상인 탄화규소 기판 평탄화 장치
5 5
탄화규소 기판 평탄화 방법에 있어서,연마 대상이 되는 탄화규소 기판을 폴리싱정반 상에 배치된 폴리싱헤드에 장착하는 단계와, 탄화규소 기판과 연마용 폴리싱정반 사이에 연마재를 공급하는 단계, 및 폴리싱헤드와 폴리싱정반을 회전시켜 탄화규소 기판을 연마하는 단계를 포함하며,상기 연마재 공급 단계는 다이아몬드 입자와 세라믹 입자의 혼합물을 연마재로 공급하는 구조의 탄화규소 기판 평탄화 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 세라믹 입자는 다이아몬드 입자 크기에 대응되는 크기로 형성되는 탄화규소 기판 평탄화 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 세라믹 입자는 혼합물에 대해 0
8 8
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 세라믹 입자는 산화세륨(CeO2) 또는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3) 및 이산화티탄(TiO2)에서 선택되는 적어도 한 종 이상인 탄화규소 기판 평탄화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술