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종자정의 일면에 그라파이트 필름(graphite film) 또는 글루(glue)를 코팅하는 단계;상기 코팅된 종자정을 열처리하여 표면의 유기물질을 제거하는 단계;상기 유기물질이 제거된 종자정을 퍼지(purge)하여 산소를 제거하는 단계; 및상기 퍼지된 종자정을 질소분위기에서 질화처리하는 단계를 포함하는 종자정 질화처리 방법
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제1항에 있어서,상기 질화처리는 50~80Kpa의 압력에서 이루어지는 종자정 질화처리 방법
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제2항에 있어서,상기 질화처리는 1900~2100℃의 온도로 승온시킨 후에 일정 시간 동안 유지하는 종자정 질화처리 방법
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제3항에 있어서,상기 질화처리는 질소막 도핑농도를 1018cm-3 내지 1019cm-3로 하는 종자정 질화처리 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅하는 단계 전에 초음파세척기를 이용하여 상기 종자정을 아세톤, 알코올, 증류수로 각각 세척하는 단계를 더 포함하는 종자정 질화처리 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 1000℃ 이하의 온도에서 이루어지는 종자정 질화처리 방법
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제1항에 있어서,상기 종자정은 탄화규소를 포함하는 종자정 질화처리 방법
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탄화규소 종자정의 일측에 그라파이트 필름(graphite film) 또는 글루(glue)를 코팅하는 단계;상기 코팅된 탄화규소 종자정을 열처리하여 표면의 유기물질을 제거한 다음 탄화규소 종자정을 퍼지(purge)하여 산소를 제거하는 단계;상기 퍼지된 탄화규소 종자정을 질소분위기에서 질화처리하는 단계; 및상기 질화처리된 종자정에 단결정 원료를 승화시킴으로써 승화된 원료 기체가 종자정에 결정화되도록 하는 단계를 포함하는 단결정 성장 방법
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제8항에 있어서,상기 질화처리하는 단계는 50~80Kpa의 질소분위기에서 질소막 도핑농도를 1018cm-3 내지 1019cm-3로 하는 단결정 성장 방법
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