기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

탄화규소 에피택시 고속 성장 공정

기술번호 : KST2015108292
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 SiC 기판; 및 상기 기판 상에 형성된 SiC 에피텍셜층을 포함하는 에피텍셜층이 형성된 SiC 기판에 관한 것으로, 높은 에피텍셜 성장 속도에서도 에피텍셜층의 두께가 균일하고, Si 드롭렛(droplet) 형성이 억제된 에피텍셜층이 형성된 기판을 제조할 수 있다.
Int. CL	C30B 29/36 (2006.01) C30B 25/14 (2006.01)
CPC	C30B 29/36(2013.01) C30B 29/36(2013.01)
출원번호/일자	1020130162915 (2013.12.24)
출원인	주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2015-0075195 (2015.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.12.24)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	주식회사 포스코	대한민국	경상북도 포항시 남구
2	재단법인 포항산업과학연구원	대한민국	경북 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서한석	대한민국	경북 포항시 남구
2	이승석	대한민국	경북 포항시 남구
3	김장열	대한민국	경북 포항시 남구
4	은태희	대한민국	경북 포항시 남구
5	김흥락	대한민국	경북 포항시 남구
6	여임규	대한민국	경북 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	특허법인다나	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 길 , 신관 층~층, *층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
최종권리자 정보가 없습니다

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-1185959-62
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.07.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2014-0062025-13
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.02.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0112737-36
5	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2015.07.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0505146-70
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.09.28	수리 (Accepted)	4-1-2016-5138263-79
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.04.30	수리 (Accepted)	4-1-2018-5077322-80
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2019-5200802-82
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.09.30	수리 (Accepted)	4-1-2019-5204006-48
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5211042-46

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 SiC 기판; 및상기 기판 상에 형성된 SiC 에피텍셜층을 포함하고, 하기 수학식 1을 만족하는 에피텍셜층이 형성된 SiC 기판
2	2 제 1 항에 있어서, 기판의 지름은 50 내지 150 mm인 에피텍셜층이 형성된 SiC 기판
3	3 제 1 항에 있어서, 에피텍셜층 표면의 피트(pit) 개수는 1,000 개 이하인 에피텍셜층이 형성된 SiC 기판
4	4 제 1 항에 있어서, 기판 및 에피텍셜 층 사이에 형성된 버퍼층을 추가로 포함하는 에피텍셜층이 형성된 SiC 기판
5	5 회전하는 기판 상에 SiC 소스가스, 캐리어 가스 및 할로겐 가스를 수평방향으로 유입시켜, 상기 기판 상에 SiC 에피텍셜층을 적층하는 단계를 포함하며, 하기 수학식 2를 만족하는 에피텍셜층의 형성 방법:003c#수학식 2003e#0
6	6 제 5 항에 있어서, SiC 소스가스는 SiH4 및 C3H8인 에피텍셜층의 형성 방법
7	7 제 6 항에 있어서, SiH4 및 C3H8의 유입 유량은 각각 50 내지 200 slm 및 20 내지 50 slm인 에피텍셜층의 형성 방법
8	8 제 5 항에 있어서, 캐리어 가스는 수소 가스이며, 할로겐 가스는 염화수소 가스인 에피텍셜층의 형성 방법
9	9 제 5 항에 있어서, 수소 가스의 유입 유량은 180 내지 210 slm인 에피텍셜층의 형성 방법
10	10 제 5 항에 있어서, 염화수소 가스의 유입 유량은 0

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.24	수리 (Accepted)	1-1-2013-1185959-62
2	선행기술조사의뢰서	2014.07.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2014.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2014-0062025-13
4	의견제출통지서	2015.02.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0112737-36
5	거절결정서	2015.07.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0505146-70
6	출원인정보변경(경정)신고서	2016.09.28	수리 (Accepted)	4-1-2016-5138263-79
7	출원인정보변경(경정)신고서	2018.04.30	수리 (Accepted)	4-1-2018-5077322-80
8	출원인정보변경(경정)신고서	2019.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2019-5200802-82
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.09.30	수리 (Accepted)	4-1-2019-5204006-48
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.10	수리 (Accepted)	4-1-2019-5211042-46


과제고유번호	1415133841
세부과제번호	N0000743
연구과제명	부품소재신뢰성평가기반구축사업 기초금속소재분야
성과구분	출원
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201205~201404
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	기타

특허성과

[1020130166204]	블록 공중합체의 나노 구조체 제조 방법 및 이를 통해 제조된 블록 공중합체의 나노 구조체	새창보기
[1020130164624]	철계 분말의 제조방법	새창보기
[1020130164609]	탄화 규소 기판의 제조 방법	새창보기
[1020130164608]	유동환원로를 이용한 철계 분말의 제조방법	새창보기
[1020130162915]	탄화규소 에피택시 고속 성장 공정	새창보기
[1020130157040]	고온 내부식성 및 크리프 저항성이 우수한 강재	새창보기
[1020110131304]	발열부품 냉각장치 및 이를 포함하는 파워 반도체 모듈	새창보기
[1020060131263]	샌드 블라스트 마모 시험 장치	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2016009756][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치(growing apparatus for large diameter single crystal)	새창보기
[KST2017010486][포항산업과학연구원]	반절연 탄화규소 단결정의 제조 방법 및 이로부터 제조된 반절연 탄화규소 단결정(MANUFACTURING METHOD OF SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL PREPARED THEREBY)	새창보기
[KST2015107555][포항산업과학연구원]	실리콘카바이드 단결정 성장방법	새창보기
[KST2015110284][포항산업과학연구원]	실리콘카바이드 단결정 성장장치	새창보기
[KST2015108103][포항산업과학연구원]	SiC 단결정 성장 장치	새창보기
[KST2019032071][포항산업과학연구원]	탄화규소 단결정 성장장치	새창보기
[KST2016012695][포항산업과학연구원]	P형 탄화규소 단결정 성장장치(growing apparatus for P-type silicon carbide single crystal)	새창보기
[KST2015109320][포항산업과학연구원]	탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치	새창보기
[KST2022010479][포항산업과학연구원]	반절연 탄화규소 단결정 성장 방법	새창보기
[KST2015110094][포항산업과학연구원]	실리콘카바이드 단결정 성장장치	새창보기
[KST2022010480][포항산업과학연구원]	SiC 단결정 성장용으로 사용되는 다공정 SiC 성형체 제조방법	새창보기
[KST2016011754][포항산업과학연구원]	역 승화 단결정 성장장치(REVERSE SUBLIMATION APPARATUS FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH)	새창보기
[KST2016012703][포항산업과학연구원]	반절연 탄화규소 단결정 성장장치(APPARATUS FOR GROWING SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL)	새창보기
[KST2019032070][포항산업과학연구원]	역 승화법을 이용한 탄화규소 단결정 성장장치	새창보기
[KST2015108170][포항산업과학연구원]	탄화 규소 기판의 제조 방법	새창보기
[KST2018010233][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치	새창보기
[KST2016011753][포항산업과학연구원]	역 승화 단결정 성장장치(REVERSE SUBLIMATION APPARATUS FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH)	새창보기
[KST2017010722][포항산업과학연구원]	탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치(GROWTH DEVICE FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL)	새창보기
[KST2016008154][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치 및 성장방법(Apparatus and method for growing large diameter single crystal)	새창보기
[KST2015108276][포항산업과학연구원]	종자정 질화처리 방법 및 이를 이용한 단결정 성장 방법	새창보기
[KST2019013746][포항산업과학연구원]	탄화규소 단결정 성장 방법	새창보기
[KST2019032082][포항산업과학연구원]	탄화규소(SiC) 단결정 성장 장치	새창보기
[KST2016010604][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치(DEVICE FOR GROWING LARGE DIAMETER SINGLE CRYSTAL)	새창보기
[KST2020010916][포항산업과학연구원]	탄화규소 단결정 성장장치	새창보기
[KST2015109672][포항산업과학연구원]	단결정 성장 도가니	새창보기
[KST2015107499][포항산업과학연구원]	실리콘카바이드 단결정 성장 장치	새창보기
[KST2019008477][포항산업과학연구원]	대구경 단결정 성장장치 및 이를 이용하는 성장방법	새창보기
[KST2019032089][포항산업과학연구원]	탄화규소 에피 박막 성장 방법	새창보기
[KST2016012795][포항산업과학연구원]	Ｐ형 탄화규소 단결정 및 이의 성장방법(P-TYPE SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND GROWING METHOD FOR THE SAME)	새창보기
[KST2015108268][포항산업과학연구원]	단결정 탄화 규소의 성장 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.