화학센서용 박막형 기준전극을 제조함에 있어서,

실리콘 산화층(3)의 상부면에, 상기 실리콘 산화층(3)에 대한 밀착력을 높이기 위하여, 니켈을 소스로 제1중간금속층(300)을 증착하는 단계;

상기 증착된 니켈(300)의 상부면에, 상기 기준전극의 표면 거칠기를 향상시키기 위하여, 티타늄을 소스로 제2중간금속층(200)을 증착하는 단계;

상기 제2중간금속층(200)의 상부면에 은을 증착(2)하는 단계;

및 염화기(Cl)가 포함된 용액으로 상기 은층(2)의 상부면에 염화은층(1)을 형성시키는 단계;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학센서용 박막형 기준전극 제조방법

제1항에 있어서, 상기 은 증착(2)이 완료된 후, 상기 기준전극용 박막을 200∼400℃에서 열처리하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 화학센서용 박막형 기준전극 제조방법

제1항에 있어서, 상기 염화은층(1)을 형성시킨 후, 상기 기준전극용 박막을 200∼400℃에서 열처리하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 화학센서용 박막형 기준전극 제조방법