요약 | 본 발명은 화학센서용 박막형 기준전극 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 안정성있는 기준전극 확보하고, 실리콘 산화층에 대한 밀착력 및 기준전극의 표면 거칠기를 향상시키기 위해, 중간 금속층 형성 및 열처리를 하여 화학센서용 박막형 기준전극 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에서는 기판인 실리콘 산화층 상부면에 니켈을 소스로 제1중간금속층을 증착하는 단계; 상기 증착된 니켈층 상부면에 티타늄을 소스로 제2중간금속층을 증착하는 단계; 상기 제2중간금속층의 상부면에 은을 증착하는 단계;및 상기 은층의 표면에 염화기(Cl)가 포함된 용액으로 염화은층을 형성시키는 단계를 포함하고, 상기 은 증착이 완료된 후 또는 상기 염화은층을 형성시킨 후, 상기 기준전극용 박막을 열처리를 하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 화학센서용 박막형 기준전극 제조방법을 제공한다.화학센서, 염화은, 기준전극, 중간 금속층, 실리콘 산화층 |
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Int. CL | G01N 27/30 (2006.01) |
CPC | G01N 27/301(2013.01) G01N 27/301(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020020082799 (2002.12.23) |
출원인 | 재단법인 포항산업과학연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2004-0056226 (2004.06.30) 문서열기 |
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국제공개번호/일자 | |
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법적상태 | 취하 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
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관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 4 |