1 |
1
망간광석 원광을 조분쇄 및 미분쇄하는 단계;분쇄된 상기 망간광석을 선택적으로 환원시키는 단계;선택적 환원된 상기 망간광석을 자력선별시키는 단계를 포함하며,상기 선택적 환원은 온도범위 500℃~700℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 망간광석의 품위 향상방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 조분쇄 및 미분쇄된 망간광석을 체가름(sieving) 및 분급하는 단계를 더 포함하는 망간광석의 품위 향상방법
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 선택적 환원된 상기 망간광석을 재분쇄하는 단계를 더 포함하는 망간광석의 품위 향상방법
|
4 |
4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 미분쇄시 망간광석의 입도를 0
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 선택적 환원의 환원 유지시간은 적어도 30분 이상인 것을 특징으로 하는 망간광석의 품위 향상방법
|
7 |
7
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 선택적 환원시 사용되는 환원가스는 제선공정에서 배출되는 배가스 또는 망간제련시 발생되는 배가스인 것을 특징으로 하는 망간광석의 품위 향상방법
|
8 |
8
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 선택적 환원시 사용되는 환원가스는 일산화탄소(CO)가 적어도 30 부피 퍼센트(vol%)인 복합가스인 것을 특징으로 하는 망간광석의 품위 향상방법
|
9 |
9
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자력선별시 자력세기는 100Gauss~300Gauss인 것을 특징으로 하는 망간광석의 품위 향상방법
|