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커패시터용 전극의 제조방법의 제조방법에 있어서,탄소재로부터 그래핀을 박리시키는 단계; 및상기 그래핀에 질소 플라즈마 처리를 실시하여 질소를 도핑시켜 전극을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 질소의 도핑량은 1-30at
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청구항 1에 있어서,상기 탄소재는 그라파이트(grapite), 증기 성장 탄소 섬유(vapor grown carbon fiber) 및 증기 성장 나노섬유(vapor grown nanofiber) 중 1종인 것을 특징으로 하는 커패시터용 질소도핑 그래핀 전극의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 질소의 도핑층은 전극의 표면으로부터 10㎚ 이하(0은 제외)인 것을 특징으로 하는 커패시터용 질소도핑 그래핀 전극의 제조방법
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커패시터용 전극으로서, 상기 전극은 그래핀으로 이루어지며, 질소 도핑층을 포함하고, 상기 질소 도핑량은 1-30at
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청구항 5에 있어서,상기 질소 도핑층은 전극의 표면으로부터 10㎚ 이하(0은 제외)인 것을 특징으로 하는 커패시터용 질소도핑 그래핀 전극
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커패시터로서,상기 커패시터는 질소가 도핑된 그래핀 전극을 포함하고, 상기 그래핀 전극의 질소도핑층은 전극의 표면으로부터 10㎚ 이하(0은 제외)인 것을 특징으로 하는 전기 이중층 커패시터
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청구항 8에 있어서,상기 질소도핑량은 1-30at
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청구항 8에 있어서,상기 커패시터의 정전용량은 65F/cc 이상인 것을 특징으로 하는 전기 이중층 커패시터
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