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하기 반응식 1로 이루어지는 분젠 반응에 있어서, 전도도 차이를 이용하여 황산 상과 요오드화수소 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리방법
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제1항에 있어서, 상기 황산 상의 H2SO4/H2O 몰 비는 5
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제1항에 있어서, 상기 요오드화수소 상의 I2/HI 몰 비는 2
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제1항에 있어서, 1005~1205 mS/cm 범위의 전도도에서 황산 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리방법
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제1항에 있어서, 331~376 mS/cm 범위의 전도도에서 요오드화수소 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리방법
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제1항에 있어서, 1005 mS/cm 이상의 전도도에서 황산 상을 분리하고, 1005 mS/cm 미만의 전도도에서 요오드화수소 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리방법
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7
제1항에 있어서, 376mS/cm 초과의 전도도에서 황산 상을 분리하고, 376mS/cm 이하의 전도도에서 요오드화수소 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리방법
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상분리기;전도도 센서;황산 상 배출구;요오드화수소 상 배출구; 및분젠 반응 생성물 유입구를 포함하며, 상기 전도도 센서는 전도도 차이를 감지하여 황산 상 배출구와 요오드화수소 상 배출구를 선택적으로 개방하는 분젠 반응 생성물의 상 분리 장치
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상분리기;전도도 센서;황산 상 배출구;요오드화수소 상 배출구; 및아황산가스, 물 및 요오드 유입구를 각각 포함하며, 상기 전도도 센서는 전도도 차이를 감지하여 황산 상 배출구와 요오드화수소 상 배출구를 선택적으로 개방하는 분젠 반응 생성물의 상 분리 장치
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10
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 황산 상의 H2SO4/H2O 몰 비는 5
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 요오드화수소 상의 I2/HI 몰 비는 2
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 전도도 센서는 1005~1205 mS/cm의 범위에서 황산 상 배출구를 개방하여 황산 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리 장치
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 전도도 센서는 331~376 mS/cm 범위에서 요오드화수소 상 배출구를 개방하여 요오드화수소 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리 장치
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 전도도 센서는 1005 mS/cm 이상의 전도도에서 황산 상 배출구를 개방하여 황산 상을 분리하고, 1005 mS/cm 미만의 전도도에서 요오드화수소 상 배출구를 개방하여 요오드화수소 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리 장치
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 전도도 센서는 376mS/cm 초과의 전도도에서 황산 상 배출구를 개방하여 황산 상을 분리하고, 376mS/cm 이하의 전도도에서 요오드화수소 상 배출구를 개방하여 요오드화수소 상을 분리하는 분젠 반응 생성물의 상 분리 장치
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제8항 또는 제9항의 상 분리기를 포함하는 분젠 반응기
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