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4인치 이상의 구경을 갖는 대구경 탄화규소(SiC) 단결정 성장에 적용되는 탄화규소 단결정 성장 장치에 있어서,원료 물질이 장입되는 내부 공간이 마련된 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 받침대,상기 도가니를 둘러싸는 단열재 및 석영관, 상기 석영관 외부에 마련되어 상기 도가니를 가열하기 위한 가열 수단, 및상기 도가니의 내부에 제공되어 상기 도가니 내벽부와 중심부의 온도 편차를 감소시키기 위한 온도 편차 감소부를 포함하고, 상기 온도 편차 감소부는 상기 도가니의 내벽부에 상기 종자정 외각을 둘러싸도록 위치되고, 결정 성장 구간에서 상기 도가니 내벽에서 나오는 복사열을 제어하여 상기 도가니 내벽부와 중심부의 온도 분포를 균일하게 하기 위한 다공성 흑연층으로 이루어지며, 상기 다공성 흑연층은 상기 도가니 내벽부에 형성된 삽입홈에 다공성 흑연이 충전되며, 상기 삽입홈의 크기는 상기 삽입홈에 다공성 흑연이 충전되면, 상기 다공성 흑연층의 내측면이 상기 도가니의 내벽부과 일치되도록 형성되는 탄화규소 단결정 성장 장치
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제1항에 있어서,상기 삽입홈은 상기 도가니의 내벽부로부터 외벽부쪽으로 일정한 길이만큼 오목하게 형성되는 탄화규소 단결정 성장 장치
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제4항에 있어서,상기 삽입홈은 상기 도가니의 내벽부 상단부로부터 하부로 일정한 길이만큼 형성되는 탄화규소 단결정 성장 장치
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제1항에 있어서,상기 다공성 흑연의 순도는 99%이상인 탄화규소 단결정 성장 장치
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제6항에 있어서,상기 다공성 흑연의 기공률(Porosity)은 70% 이상인 탄화규소 단결정 성장 장치
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제7항에 있어서,상기 다공성 흑연은 길이가 0
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제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,결정 성장 구간에서 상기 다공성 흑연이 도가니 내벽에서 나오는 복사열을 제어하여 열반사 역할을 할 수 있도록 상기 도가니의 내부는 대기압하에서 가열수단에 의하여 2000℃ 내지 2300℃ 의 온도로 가열되는 탄화규소 단결정 성장 장치
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