실리콘기판(3) 위에 제1산화막(4)을 형성하고, 상기 제1산화막(4)위에 고주파전력으로 유도가열되는 고융점의 전도성박막(5)을 형성하고, 상기 전도성 박막(5)위에 다시 제2산화막(6)을 형성하고, 상기 제2산화막(6) 위에 SOI막(7)을 형성한 구조를 갖는 고주파 유도가열되는 직접접합 SOI 기판

실리콘기판(3)위에 전도성박막(5)을 형성하고, 이 전도성박막(5)위에 제2산화막(6)을 형성하고, 상기 제2산화막(6)위에 SOI막(3)을 형성한 구조를 갖는 고주파 유도가열되는 직접접합 SOI 기판

실리콘기판(3)의 양면에 산화막을 도포하거나 실리콘을 산화하는 방법으로 제1산화막(4)을 형성하고, 상기 제1산화막(4)의 위에 전도성박막(5)을 도포하고, 상기 전도성박막(4)의 위에 다시 제2산화막(6)을 형성한 후, 실리콘 웨이퍼의 전면을 감광액으로 보호한 상태에서 화학적 선택 식각공정 또는 기계적 연마방법으로 뒷면의 산화막과 전도성박막 만을 선택적으로 제거하여 보조웨이퍼를 제조하고, 상기 보조웨이퍼와 SOI막(7)을 구성하기 위한 주웨이퍼의 양쪽 거울면을 서로 마주보게 직접접촉시키고, 접촉된 상기 보조웨이퍼와 주웨이퍼를 고주파 유도가열에 의하여 열처리한 후 공지의 연마방법으로 가공하여 일정한 두께를 갖는 박막의 SOI막(7)을 형성하는 것을 특징으로 하는 고주파 유도가열되는 직접접합 SOI 기판 제조방법