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폴리프로필렌이민 덴드리머의 말단기(NH2)가 에틸아크릴레이트(EA), 메틸아크릴레이트(MA), 에폭시부탄(EB) 및 부틸글리시딜에테르(BGE) 중에서 선택되는 1종의 화합물로 부분적으로 또는 전체적으로 치환된 폴리프로필렌이민 덴드리머 유도체인 것을 특징으로 하는 저유전 박막 제조용 기공 형성제
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제1항에 있어서,하기 화학식 1로 표시되는 저유전 박막 제조용 기공 형성제:[화학식 1][-CH2CH2N[(CH2)3N[(CH2)3N[(CH2)3N[R1]2]2]2]2]2상기 R1은 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 6 및 화학식 7 중에서 선택되는 1종의 화합물이며,[화학식 2]CH2CH2COOCH2CH3[화학식 3]CH2CH2COOCH3[화학식 4]CH2CHOHCH2CH3[화학식 5]CH2CHOHCH2OCH2CH2CH2CH3[화학식 6](CH2)3N[R2]2[화학식 7](CH2)3N[(CH2)3N[R3]2]2상기 R2 및 R3은 각각 상기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5 중에서 선택되는 1종의 화합물이다
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폴리프로필렌이민 덴드리머와 에틸아크릴레이트(EA), 메틸아크릴레이트(MA), 에폭시부탄(EB) 및 부틸글리시딜에테르(BGE) 중에서 선택되는 1종의 화합물을 반응시켜, 폴리프로필렌이민 덴드리머의 말단기(NH2)를 에틸아크릴레이트(EA), 메틸아크릴레이트(MA), 에폭시부탄(EB) 및 부틸글리시딜에테르(BGE) 중에서 선택되는 1종의 화합물로 부분적으로 또는 전체적으로 치환시킴으로써, 폴리프로필렌이민 덴드리머 유도체를 제조하는 것을 특징으로 하는 저유전 박막 제조용 기공 형성제의 제조방법
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제3항에 있어서,하기 화학식 8로 표시되는 폴리프로필렌이민 덴드리머와 에틸아크릴레이트(EA), 메틸아크릴레이트(MA), 에폭시부탄(EB) 및 부틸글리시딜에테르(BGE) 중에서 선택되는 1종의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 폴리프로필렌이민 덴드리머 유도체를 제조하는 것을 특징으로 하는 저유전 박막 제조용 기공 형성제의 제조방법:[화학식 1][-CH2CH2N[(CH2)3N[(CH2)3N[(CH2)3N[R1]2]2]2]2]2상기 R1은 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 6 및 화학식 7 중에서 선택되는 1종의 화합물이고,[화학식 2]CH2CH2COOCH2CH3[화학식 3]CH2CH2COOCH3[화학식 4]CH2CHOHCH2CH3[화학식 5]CH2CHOHCH2OCH2CH2CH2CH3[화학식 6](CH2)3N[R2]2[화학식 7](CH2)3N[(CH2)3N[R3]2]2상기 R2 및 R3은 각각 상기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5 중에서 선택되는 1종의 화합물이며,[화학식 8][-CH2CH2N[(CH2)3N[(CH2)3N[(CH2)3N[R4]2]2]2]2]2상기 R4는 H, 하기 화학식 9 또는 화학식 10으로 표시되는 화합물이다
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제3항 또는 제4항에 있어서,(a) 폴리프로필렌이민 덴드리머를 메탄올 또는 에탄올에 용해시킨 용액에 에틸아크릴레이트(EA), 메틸아크릴레이트(MA), 에폭시부탄(EB) 및 부틸글리시딜에테르(BGE) 중에서 선택되는 1종의 화합물 1
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제3항 또는 제4항에 있어서,폴리프로필렌이민 덴드리머의 말단기(NH2)를 에틸아크릴레이트(EA), 메틸아크릴레이트(MA), 에폭시부탄(EB) 및 부틸글리시딜에테르(BGE) 중에서 선택되는 1종의 화합물로 부분적으로 또는 전체적으로 치환하여 하기 화학식 11로 표시되는 폴리메틸실시스퀴옥산 전구체와의 상용성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 저유전 박막 제조용 기공 형성제의 제조방법
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하기 화학식 11로 표시되는 폴리메틸실시스퀴옥산 전구체를 저유전 박막 형성용 기재로 사용하고, 폴리프로필렌이민 덴드리머의 말단기(NH2)가 에틸아크릴레이트(EA), 메틸아크릴레이트(MA), 에폭시부탄(EB) 및 부틸글리시딜에테르(BGE) 중에서 선택되는 1종의 화합물로 부분적으로 또는 전체적으로 치환된 폴리프로필렌이민 덴드리머 유도체를 기공 형성제로 이용하여 저유전 박막 내에 기공을 형성시키는 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
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하기 화학식 11로 표시되는 폴리메틸실시스퀴옥산 전구체를 저유전 박막 형성용 기재로 사용하고, 하기 화학식 1로 표시되는 폴리프로필렌이민 덴드리머 유도체를 기공 형성제로 이용하여 저유전 박막 내에 기공을 형성시키는 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법:[화학식 1][-CH2CH2N[(CH2)3N[(CH2)3N[(CH2)3N[R1]2]2]2]2]2상기 R1은 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5, 화학식 6 및 화학식 7 중에서 선택되는 1종의 화합물이며,[화학식 2]CH2CH2COOCH2CH3[화학식 3]CH2CH2COOCH3[화학식 4]CH2CHOHCH2CH3[화학식 5]CH2CHOHCH2OCH2CH2CH2CH3[화학식 6](CH2)3N[R2]2[화학식 7](CH2)3N[(CH2)3N[R3]2]2상기 R2 및 R3은 각각 상기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5 중에서 선택되는 1종의 화합물이다
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제7항 또는 제8항에 있어서,화학식 11로 표시되는 폴리메틸실시스퀴옥산 전구체를 저유전 박막 형성용 기재로 사용하고, 폴리프로필렌이민 덴드리머 유도체를 기공 형성제로 이용하여, 액상 혼합과정을 거쳐서 기공 형성제를 전구체 용액 중에 혼합시킨 후, 용액 캐스팅으로 필름을 성형하고, 기재의 경화과정을 거친 후, 기공 형성제를 열분해시켜 저유전 박막 내에 기공을 형성시키는 것을 특징으로 하는 저유전 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,(a) 기공 형성제로서 폴리프로필렌이민 덴드리머 유도체를 메틸이소부틸케톤에 용해시킨 용액과 화학식 11로 표시되는 폴리메틸실시스퀴옥산 전구체를 메틸이소부틸케톤에 용해시킨 용액을 혼합하는 단계;(b) 혼합용액을 기질에 도포하는 단계;(c) 도포된 박막을 50℃ 이상에서 건조시키는 단계;(d) 질소 분위기에서 250 내지 300℃까지 온도를 서서히 올리고 유지하여 폴리메틸실시스퀴옥산 전구체 기재를 경화시키는 단계;(e) 다시 400 내지 500℃까지 온도를 서서히 올리면서 기공 형성제를 열분해시켜 저유전 박막 기재 내에 나노기공을 형성시키는 단계; 및(f) 온도를 상온까지 서서히 낮추어 냉각시키는 단계를 포함하는 저유전 박막의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,제조된 저유전 박막의 유전율이 2
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