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산화인듐(In2O3) 분말, 산화갈륨(Ga2O3) 분말, 및 산화아연(ZnO)이 1:1:10의 몰비로 배합된 혼합 분말을 제작하는 단계;상기 혼합 분말을 열처리하여 InGaZn5O8 결정구조를 가지는 혼합 화합물을 제작하는 단계;상기 InGaZn5O8 혼합 화합물을 분쇄하여 미분화하는 단계;InGaZn5O8 혼합 화합물 분말에 산화아연(ZnO) 분말을 추가하는 단계; 산화아연(ZnO) 분말이 추가된 혼합 분말을 원료로 성형체를 제작하는 단계; 및상기 성형체를 소결하는 단계를 포함하는, 산화인듐-산화갈륨-산화아연 혼합 화합물의 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 혼합 분말을 제작하는 단계에서 산화인듐(In2O3) 분말, 산화갈륨(Ga2O3) 분말, 및 산화아연(ZnO) 분말은 평균입도가 0
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제1항에 있어서,In2O3+Ga2O3:ZnO의 몰비가 1:5 이상이 되도록, 상기 산화아연(ZnO) 분말을 추가하는 단계에서 산화아연(ZnO) 분말의 첨가량이 결정되는, 산화인듐-산화갈륨-산화아연 혼합 화합물의 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 1000℃ 이하에서 혼합 분말을 하소하는 단계를 포함하는, 산화인듐-산화갈륨-산화아연 혼합 화합물의 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 InGaZn5O8 혼합 화합물을 분쇄하여 미분화하는 단계에서 상기 혼합 화합물은 평균입도가 0
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제1항에 있어서,상기 소결체는 90% 이상의 소결밀도를 가지는, 산화인듐-산화갈륨-산화아연 혼합 화합물의 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소결체는 스퍼터링 타겟인, 산화인듐-산화갈륨-산화아연 혼합 화합물의 소결체의 제조방법
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산화인듐(In2O3), 산화갈륨(Ga2O3), 및 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하며, In2O3+Ga2O3:ZnO의 몰비가 1:n (여기서, n 003e# 5)이고, 소결밀도가 90% 이상인 산화인듐-산화갈륨-산화아연 혼합 화합물의 소결체
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제8항에 있어서,상기 소결체는 스퍼터링 타겟이 되는, 산화인듐-산화갈륨-산화아연 혼합 화합물의 소결체
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