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사출금형 소지;상기 사출금형의 소지의 표면에 형성된 질화처리층;상기 질화처리층 표면에 형성된 중간층; 및상기 중간층의 표면에 형성된 탄소계물질 박막층을 포함하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형
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제 1항에 있어서,상기 질화처리층은 상기 사출금형의 소지의 200~300㎛ 두께만큼 질화처리된 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형
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제 1항에 있어서,상기 중간층은 실리콘층인 것을 특징으로 하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형
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제 1항에 있어서,상기 중간층의 두께는 100~500㎚인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형
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제 1항에 있어서,상기 탄소계물질 박막층의 두께는 1~3㎛인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형
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제 1항에 있어서,상기 탄소계물질 박막층은 상기 탄소계물질 박막층 중의 실리콘 함량이 25중량%이하인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형
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제 1항에 있어서,상기 탄소계물질 박막층의 밀착력은 30N 이상인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형
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사출금형 소지를 준비하는 단계;상기 준비된 사출금형 소지의 표면을 질화처리하여 질화처리층을 형성하는 단계;상기 준비된 질화처리층의 표면에 중간층을 형성하는 단계; 및상기 형성된 중간층의 표면에 탄소계물질 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 사출금형 소지는 120~140sccm의 질소가스와 60~80sccm의 수소가스 분위기에서 120~140분 동안 질화처리하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 중간층은 아르곤 가스: TMS 가스의 비가 6~8: 2~4인 분위기에서 10~30분 동안 유지하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 탄소계물질 박막층은 아르곤, 메탄, TMS 및 수소가스를 공급하고, 상기 가스는 sccm으로 각각 40~60, 20~40, 5~25, 40~60의 비를 갖는 분위기에서 90~180분 동안 유지하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법
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