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투명도전성 박막 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막 형성방법 및 투명도전성 박막

  • 기술번호 : KST2015109924
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 실시예에서는 투명도전성 박막 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막 형성방법 및 이에 의해 형성되는 투명도전성 박막이 개시된다. 상기 투명도전성 박막 조성물은 인듐(In), 갈륨(Ga), 붕소(B), 아연(Zn) 및 산소(O2)를 포함하되, 상기 인듐, 갈륨, 붕소 및 아연의 비율 (In+Ga)/(In+Ga+B+Zn)이 25~65 원자 퍼센트(atomic %)이면서, 붕소의 함량은 4~8 원자 퍼센트(atomic %)인 것을 특징으로 한다.
Int. CL C04B 35/575 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC B23K 35/00(2013.01) B23K 35/00(2013.01) B23K 35/00(2013.01) B23K 35/00(2013.01)
출원번호/일자 1020120103571 (2012.09.18)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1627331-0000 (2016.05.30)
공개번호/일자 10-2014-0037458 (2014.03.27) 문서열기
공고번호/일자 (20160608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영주 대한민국 경북 포항시 남구
2 박종일 대한민국 경북 포항시 남구
3 김주영 대한민국 경북 포항시 남구
4 오윤석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0756630-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0682795-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0776056-47
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0028981-54
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0028993-02
7 등록결정서
Decision to grant
2016.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0384291-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
인듐(In), 갈륨(Ga), 붕소(B), 아연(Zn) 및 산소(O2)를 포함하되,상기 인듐, 갈륨, 붕소 및 아연의 비율 (In+Ga)/(In+Ga+B+Zn)이 25~65 원자 퍼센트(atomic %)이면서, 붕소의 함량은 4~8 원자 퍼센트(atomic %)인 것을 특징으로 하는 투명도전성 박막 조성물
2 2
산화 인듐(In2O3), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 붕소(B2O3) 및 산화 아연(ZnO) 분말을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;상기 혼합물을 금형에 넣고 프레스로 성형한 후 열처리하여 소결하는 소결체를 제조하는 단계; 및상기 소결체를 이용하여 스퍼터링하여 준비된 기판에 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 혼합물은 인듐, 갈륨, 붕소 및 아연의 비율 (In+Ga)/(In+Ga+B+Zn)이 25~65 원자 퍼센트(atomic %)이고, 붕소의 함량은 4~8원자 퍼센트(atomic %)인 것을 특징으로 하는 투명도전성 박막 형성방법
3 3
삭제
4 4
제2항에 의해 형성되는 투명도전성 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.