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실리콘카바이드 단결정 성장장치

  • 기술번호 : KST2015110094
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SiC가 코팅된 도가니를 이용한 실리콘카바이드 단결정 성장장치에 관한 것이다.본 발명의 실시예에 따른 실리콘카바이드 단결정 성장장치는, 그 내부에 단결정 원료가 장입되는 도가니; 상기 도가니의 내벽에 부착되어 종자정을 고정시키는 종자정 홀더; 상기 도가니를 둘러싸는 단열재; 상기 단열재를 둘러싸는 형상으로 구비되는 석영관; 상기 도가니를 가열하도록 상기 석영관의 외측에 배치되는 가열수단; 및 상기 도가니의 내벽을 감싸도록 형성되는 코팅층; 을 포함하되, 상기 단결정 원료가 승화하여 상기 종자정에서 단결정이 성장되고, 상기 코팅층은 상기 도가니의 내벽이 SiC로 코팅됨으로써 형성될 수 있다.
Int. CL C30B 23/02 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110136804 (2011.12.16)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0069192 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
2 은태희 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 여임규 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
5 박종휘 대한민국 부산광역시 금정구
6 이원재 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1004603-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0878177-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788239-54
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0130335-55
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0631366-54
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0894610-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그 내부에 단결정 원료가 장입되는 도가니;상기 도가니의 내벽에 부착되어 종자정을 고정시키는 종자정 홀더;상기 도가니를 둘러싸는 단열재;상기 단열재를 둘러싸는 형상으로 구비되는 석영관;상기 도가니를 가열하도록 상기 석영관의 외측에 배치되는 가열수단; 및상기 도가니의 내벽을 감싸도록 형성되는 코팅층;을 포함하되,상기 단결정 원료가 승화하여 상기 종자정에서 단결정이 성장되고,상기 코팅층은 상기 도가니의 내벽이 SiC로 코팅됨으로써 형성되는 실리콘카바이드 단결정 성장장치
2 2
제1항에 있어서,상기 단결정 원료는 SiC 분말인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장장치
3 3
제1항에 있어서,상기 단결정의 성장을 유도하도록 상기 종자정 홀더와 이격 형성되고, 상기 도가니의 내주면에 환형으로 형성되는 가이드 링을 더 포함하는 실리콘카바이드 단결정 성장장치
4 4
제3항에 있어서,상기 가이드 링은 상기 도가니의 내부를 향하여 돌출되고, 상기 종자정을 향하여 점진적으로 원주가 좁아지도록 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장장치
5 5
제1항에 있어서,상기 단열재는 복수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장장치
6 6
제1항에 있어서,상기 가열수단은 고주파 유도 코일인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술