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화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마 방법

  • 기술번호 : KST2015110100
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 웨이퍼가 장착된 헤드를 패드가 부착된 회전하는 폴리싱 테이블에 혼합 슬러리 공급하에 회전시켜 상기 웨이퍼를 평탄화하는 화학기계적 연마 장치는 다이아몬드 입자를 포함하는 다이아몬드 슬러리를 포함하는 혼합 슬러리를 포함한다.
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC C09K 3/1409(2013.01) C09K 3/1409(2013.01) C09K 3/1409(2013.01)
출원번호/일자 1020110146211 (2011.12.29)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0077481 (2013.07.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
2 은태희 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 여임규 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
5 박종휘 대한민국 부산광역시 금정구
6 이원재 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-1051007-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0878180-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0393740-11
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0080673-65
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788242-92
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0661784-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼가 장착된 헤드를 패드가 부착된 회전하는 폴리싱 테이블에 혼합 슬러리 공급하에 회전시켜 상기 웨이퍼를 평탄화하는 화학기계적 연마 장치에 있어서,상기 혼합 슬러리는 다이아몬드 입자를 포함하는 다이아몬드 슬러리를 포함하는 화학기계적 연마 장치
2 2
제1항에서,상기 다이아몬드 입자는 100nm 이하의 크기를 가지는 화학기계적 연마 장치
3 3
제2항에서,상기 혼합 슬러리는 콜로이달 실리카를 포함하는 수산화칼륨(KOH-based colloidal silica) 및 과산화수소(H2O2)를 더 포함하는 화학기계적 연마 장치
4 4
제3항에서,상기 다이아몬드 슬러리는 상기 혼합 슬러리에서 1 내지 5 부피비(vol%)인 화학기계적 연마 장치
5 5
제4항에서,상기 과산화수소는 상기 혼합 슬러리에서 15 내지 20 부피비(vol%)인 화학기계적 연마 장치
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 화학기계적 연마 장치를 이용한 화학기계적 연마 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술