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이온플레이팅에 의한 알루미늄 피막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015110214
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 알루미늄 피막의 제조 방법은, 피막처리가 수행되는 진공실; 상기 진공실의 상부에 고정되고 내부에 시편이 설치되는 배럴; 상기 배럴에 대향되는 진공실 하부에 마련되는 전자빔 증발원; 상기 배럴과 전자빔 증발원 사이에 설치되는 셔터; 상기 전자빔증발원의 일측에 설치되는 필라멘트와 이온화전극; 상기 셔터와 배럴 사이에 설치되는 시편 가열장치를 포함하는 이온플레이팅 장치를 이용하여 상기 배럴에 장착된 시편에 알루미늄 피막을 형성시키는 방법에 있어서, 상기 배럴에 초기 전압을 300V∼600V 정도 인가하여 30∼60분간 증착한 후에 전압을 50∼100V 낮추어 1시간 30분간 증착하고, 상기 필라멘트에 40∼60A의 전류를 흐르게 하고, 상기 이온화전극에는 40∼70V의 전압을, 상기 배럴에는 400∼800mA의 전류를 흐르게 하여 상기 시편가열장치로 시편을 200℃까지 가열하여 이온플레이팅 하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 시편의 청정 시간을 단축시킬 수 있으며, 밀착성 및 내식성이 향상되고, 피막의 신뢰도가 향상된 피막을 경제적으로 제조할 수 있는 것이다.
Int. CL C23C 14/46 (2006.01)
CPC C23C 14/32(2013.01) C23C 14/32(2013.01) C23C 14/32(2013.01)
출원번호/일자 1020000049077 (2000.08.24)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0430410-0000 (2004.04.23)
공개번호/일자 10-2002-0016005 (2002.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20040504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.03.04)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재인 대한민국 경상북도포항시남구
2 정우철 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수웅 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)(특허법인로얄)
2 황의창 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)(특허법인천문)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2000-0177195-71
2 출원심사청구서
Request for Examination
2002.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-5057458-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.09.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.10.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0049428-68
6 등록결정서
Decision to grant
2004.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0109241-41
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
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피막처리가 수행되는 진공실; 상기 진공실의 상부에 고정되고 내부에 시편이 설치되는 배럴; 상기 배럴에 대향되는 진공실 하부에 마련되는 전자빔 증발원; 상기 배럴과 전자빔 증발원 사이에 설치되는 셔터; 상기 전자빔증발원의 일측에 설치되는 필라멘트와 이온화전극; 상기 셔터와 배럴 사이에 설치되는 시편 가열장치를 포함하는 이온플레이팅 장치를 이용하여 상기 배럴에 장착된 시편에 알루미늄 피막을 형성시키는 방법에 있어서,

상기 배럴에 초기 전압을 300V∼600V 정도 인가하여 30∼60분간 증착한 후에 전압을 50∼100V 낮추어 1시간 30분간 증착하고, 상기 필라멘트에 40∼60A의 전류를 흐르게 하고, 상기 이온화전극에는 40∼70V의 전압을, 상기 배럴에는 400∼800mA의 전류를 흐르게 하여 상기 시편가열장치로 시편을 200℃까지 가열하여 이온플레이팅 하는 것을 특징으로 하는 이온플레이팅에 의한 알루미늄 피막의 제조 방법

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제1항에 있어서, 상기 전자빔 증발원은 알루미나 도가니인 것을 특징으로 하는 이온플레이팅에 의한 알루미늄 피막의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.