맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

분철광석의유동층식환원장치,용융선철제조장치및분철광석의환원방법

  • 기술번호 : KST2015110244
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분철광석의 유동층식 환원장치, 용융선철제조장치 및 분철광석의 환원방법에 관한 것으로서, 환원철의 생산속도가 우수하고 가스이용율의 극대화 및 미분으로 인한 분산판 막힘 등의 트라블 방지를 도모할 수 있고, 비산으로 인한 광석의 손실을 줄일 수 있고, 설비의 효율이 높아질 뿐만 아니라, 설비의 구성이 단순한 분철광석의 유동층식 환원장치,및 이를 이용한 분철광석의 환원방법및 용융선철제조장치를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다. 본 발명은 분철광석을 환원하는 유동층식 환원장치에 있어서, 저유속 환원실과고유속 환원실로 이루어지며, 분철광석을 환원성 분위기에서 예열 및 예비환원시키도록 구성되는 제 1유동층로; 제 1유동층로의 배가스에 함유된 미립철광석이 가스와 분리되어 제 1유동층로의 저유속 환원실로 재순환되도록 구성된 제 1사이클론; 제 1유동층로의 고유속 환원실로부터 배출되어 장입된 예열 및 예비환원된 조립의 분철광석을 환원가스에 의하여 기포유동층을 형성하면서 최종환원하도록 구성된 상광하협형(Taper)제 2유동층로;및 제 2유동층로의 배가스에 함유된 미립철광석이 가스와 분리되어 제 2유동층로하부로 재순환되도록 구성된 제 2사이클론를 포함하여 구성되는 분철광석의 유동층식 환원장치, 분철광석의 환원방법,및 용융선철제조장치를 그 요지로한다.
Int. CL C21B 13/02 (2006.01)
CPC C21B 13/0033(2013.01)
출원번호/일자 1019970073583 (1997.12.24)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원, 뵈스트-알핀 인두스트리안라겐바우 게엠바하
등록번호/일자 10-0262486-0000 (2000.05.02)
공개번호/일자 10-1999-0053880 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.24)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 뵈스트-알핀 인두스트리안라겐바우 게엠바하 오스트리아 오스트리아 아-**** 린쯔 투름슈트라쎄
3 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강흥원 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 최낙준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 정선광 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김행구 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
2 이성동 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
3 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항종합제철 주식회사 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 뵈스트-알핀 인두스트리안라겐바우 게엠바하 오스트레일리아 오스트리아 아-**** 린쯔 투름슈트라쎄
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1997-0229129-14
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1997-0229127-23
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1997-0229128-79
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.02.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1997-0229130-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0268403-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0115722-12
7 의견서
Written Opinion		 1999.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-5345860-78
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.09.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5345861-13
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0340252-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.11.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0145373-17
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.01.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-1999-0030969-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
13 등록사정서
Decision to grant		 2000.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0023431-87
14 FD제출서
FD Submission		 2000.05.03 수리 (Accepted) 2-1-2000-5072624-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.10.09 수리 (Accepted) 4-1-2000-0129574-50
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2002-0027128-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043602-26
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043593-03
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2003-0044872-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2005-0000391-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

분철광석을 환원하는 유동층식 환원장치에 있어서,

저유속 환원실(110)과 고유속 환원실(120)로 이루어지며, 분철광석을 환원성 분위기에서 예열 및 예비환원시키도록 구성되는 제 1유동층로(100);

제 1유동층로(100)의 배가스에 함유된 미립철광석이 가스와 분리되어 제1유동층로(100)의 저유속 환원실(110)로 재순환되도록 구성된 제 1사이클론(130);

제 1유동층로(100)의 고유속 환원실(110)로부터 배출되어 장입된 예열 및 예비환원된 조립의 분철광석을 환원가스에 의하여 기포유동층을 형성하면서 최종환원하도록 구성된 제 2유동층로(200);및

제 2유동층로(200)의 배가스에 함유된 미립철광석이 가스와 분리되어 제 2유동층로(200)하부로 재순환되도록 구성된 제 2사이클론(210)를 포함하고;

상기 제 1유동층로(100)는 그 상단이 제1유동층로(100)의 상부 내벽과 일정한 거리를 두고 위치되는 내벽(105)에 의해 상광하협형의 고유속 환원실(110) 및 상협하광형의 저유속 환원실(120)로 나누어지고;

상기 제 1유동층로(100)의 하단부에는 환원가스를 공급받기 위한 제 1가스공급구(102)가 형성되고, 그 하부에는 노즐경 및 개공율을 고유속 환원실(110) 및 저유속 환원실(120)에서 각각 다르게 한 제 1가스분산판(101)이 장착되고;

상기 고유속 환원실(110)에는 제 1-1광석배출구(112)가 형성되어 있고,이 제 1-1광석배출구(112)에는 제 2유동층로(200)하부에 연통되어 있는 제 2도관(113)이 연결되고, 또한, 철광석 공급구(111)가 형성되며, 이 철광석 공급구(111)에는 호퍼(400)와 연통되어 있는 제 1도관(401)이 연결되고;

상기 저유속환원실(120)의 하부에는 통상의 스크류 콘베이어식의 제 1-2 광석배출구(121)가 설치되고;

상기 제1유동층로(100)의 상부에는 제1 가스배출구(103)가 형성되어 있으며,이 제 1가스배출구(103)에는 제 1사이클론(130)상부와 연결된 제 3도관(104)이 연결되어 있고;

상기 제 1사이클론(130)은 그 하단부에 제 1유동층로(100)의 저유속 환원실(120)내의 하부까지 확장되어 있는 제 4도관(132)이 연결되어 있고 그 상단부에는 청정된 배가스를 최종적으로 배출시키기 위한 제 6도관(131)이 연결되고;

상기 제 2유동층로(200)는 상부 원통형 하부 원추형으로 구성되며,그 하단부에는 환원가스를 공급받기 위한 제 2가스공급구(202)가 형성되고, 상기 제 2가스공급구(202)위의 하부내에는 제 2가스 분산판(201)이 장착되고, 그리고, 그 측벽에는 제 2광석배출구(203) 및 철광석 공급구(204)가 형성되어 있고, 상기 제 2광석배출구(203)에는 제 7도관(207)이 연결되고, 철광석 공급구(204)에는 제 2도관(113)이 연결되며; 그 상부에는 제 2가스배출구(205)가 형성되어 있으며,이 제 2가스배출구(205)에는 제 2사이클론(210)상부와 연통되어 있는 제 10도관(206)이 연결되며;

상기 제 2사이클론(210)의 저부에는 제 2유동층로(200)내의 하부까지 확장되어 있는 제 9도관(212)이 연결되고, 그리고 그 상단부에는 청정된 배가스를 제 1유동층로(100)로 공급하기 위한 제 8도관(211)이 연결되어 구성됨을 특징으로 하는 분철광석의 유동층식 환원장치
2 2

제1항에 있어서, 상기 제 1유동층로(100) 와 제 2유동층로(200)의 제 2사이클론(210)사이에는 환원가스의 일부를 연소시키기 위한 산소 또는 공기 취입기(220)가 설치되는 것을 특징으로 하는 분철광석의 유동층식 환원장치
3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제 2유동층로의 원추형 하부 경사각은 수직선에서 5-15°이고, 원추형 하부(200a)의 분산판에서부터의 높이는 그 하부 분산판 내경의 5-10배이고, 원통형 상부(200b)높이는 그 내경의 3∼4배이고, 제 1유동층로(100)의 고유속 환원실(110)의 하/상단면적비는 0

4 4

제1항의 분철광석의 유동층식 환원장치를 이용하여 분철광석을 환원하는 방법에 있어서,

제 1유동층로(100)의 고유속 환원실(110)로 공급된 분철광석을 제 2유동층로(200)에서 나오는 배가스(환원가스)에 의하여 기포유동층을 형성하면서 예열 및 예비환원시키고, 환원된 철광석은 제 2도관(113)을 경유하여 제 2유동층로(200)하부로 이동시켜 제 2가스공급구(202)를 통해 공급된 환원가스를 이용하여 기포유동층을 형성하면서 최종환원시킨 다음, 제 2광석배출구(203)를 통해 최종 배출하고;

제 1유동층로(100)의 고유속 환원실(110)에 장입된 광석은 예열 및 예비환원되면서 분화되어 미분함량이 상대적으로 높아져 제 1유동층로(100)외부로 배출되고, 이 배가스에 함유된 미립철광석은 제 1사이클론(130)에서 가스와 분리되어 제 1유동층로(100)의 저유속 환원실(120)의 하부에 재순환되고; 그리고

제 2유동층로(200)의 배가스에 함유된 미립철광석은 제 2사이클론(210)에서 가스와 분리되어 제 2유동층로(200)하부에 재순환되도록 구성됨을 특징으로 하는 분철광석의 환원방법
5 5

제4항에 있어서, 상기 제 1유동층로(100)와 제 2유동층로(200)의 제 2사이클론(210)사이에 환원가스의 일부를 연소시키기 위한 산소 또는 공기 취입기(220)를 설치하여 배가스(환원가스)에 산소 또는 공기를 취입하여 배가스의 일부를 연소시킬 때 발생하는 연소가스(flue gas)를 혼합하여 소정의 온도에 달한 혼합가스를 제 1유동층로(100)의 환원가스로 이용하는 것을 특징으로 하는 분철광석의 환원방법
6 6

제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제 2유동층로의 원추형 하부 경사각은 수직선에서 5∼15°이고, 원추형 하부(200a)의 분산판에서부터의 높이는 그 하부 분산판 내경의 5∼10배이고, 원통형 상부(200b)높이는 그 내경의 3∼4배이고, 제 1유동층로(100)의 고유속 환원실(110)의 하/상단면적비는 0

7 7

제4항 또는 제5항에 있어서, 제 1유동층로(100)에서의 예열 및 예비환원온도는 700∼800℃이고, 제 2유동층로(200)에서의 최종환원온도는 800∼900℃이고,그리고 제 1유동층로(100)와 제 2유동층로(200)내의 바로 위에서의 가스유속은 로내에 체류하는 분철광석의 최소유동화 속도의 1

8 8

제6항에 있어서,제 1유동층로(100)에서의 예열 및 예비환원온도는 700-800℃이고, 제 2유동층로(200)에서의 최종환원온도는 800-900℃이고, 제1유동층로(100)의 고유속 환원실(110)의 분산판 직상부에서의 유속은 1

9 9

(2회정정)제4항, 제5항 또는 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 조립은 0

10 10

제6항에 있어서, 조립은 0

11 11

제7항에 있어서, 조립은 0

12 12

분철광석을 이용하여 용융선철을 제조하는 장치에 있어서,

제1항의 유동층식 환원장치와 용융가스화로(300)로 이루어지고;

상기 용융가스화로(300)에는 상기 제 2유동층로(200)의 제 2광석배출구(203)에 연결되어 있는 제 7도관(207)이 연결되고,그 상부는 제11도관(302)를 통해 제3사이클론(310)과 연통되어 있고, 그 저부에는 제12도관(312)이 연결되어 있고, 이 제12도관(312)은 용융가스화로(300)의측벽에 구비되어 있는 버너(301)와 연결되고;

상기 제3사이클론(310)의 상부에는 제 2유동층로(200)의 제2가스공급구(202)와 연통되어 청정된 용융가스화로(300)의 배가스를 제 2유동층로(200)로 공급하기 위한 제 13도관(311)이 연결되고; 그리고

제1유동층로(100)의 저유속환원실(120)의 하부에 설치된 제 1-2 광석배출구(121)와 연결되어 있는 제 5도관(122)이 상기 제11도관(302)과 연통되도록 구성됨을 특징으로 하는 용융선철제조장치
13 13

제12항에 있어서, 상기 제 1유동층로(100) 와 제 2유동층로(200)의 제 2사이클론(210)사이에는 환원가스의 일부를 연소시키기 위한 산소 또는 공기 취입기(220)가 설치되는 것을 특징으로 하는 용융선철제조장치
14 14

제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 제 2유동층로의 원추형 하부 경사각은 수직선에서 5∼15°이고, 원추형 하부(200a)의 분산판에서부터의 높이는 그 하부 분산판 내경의 5∼10배이고, 원통형 상부(200b)높이는 그 내경의 3∼4배이고, 제 1유동층로(100)의 고유속 환원실(110)의 하/상단면적비는 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.