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수소처리된 웨이퍼 및 이의 표면 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015110346
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에피공정 전후의 웨이퍼 표면을 일정한 표면 상태로 유지하기 위한 표면 처리 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 수소 표면 처리된 웨이퍼 및 수소 분위기의 열처리하에서 고온열처리 하는 단계를 포함하는 웨이퍼 표면 처리 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020130162706 (2013.12.24)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0075176 (2015.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김흥락 대한민국 경북 포항시 남구
2 서한석 대한민국 경북 포항시 남구
3 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
4 김동수 대한민국 경북 포항시 남구
5 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
6 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
7 김장열 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-1184943-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0032973-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0720856-76
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1242856-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1242857-19
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0255474-98
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0485120-88
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.05.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0485122-79
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0440718-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수소 표면처리된 웨이퍼로서, 하기 수학식 1을 만족하는 SiC웨이퍼:[수학식 1]((R5 - R0) / R5) × 100 = 45 %상기 수학식 1에서,R0는 수소 표면처리 직후의 웨이퍼의 표면조도를 의미하고,R5는 수소 표면처리 5 일 경과 후의 웨이퍼 표면조도를 의미하며,상기 표면조도는 KSB0161에 규정하는 표면조도에 따라 측정하였다
2 2
제 1항에 있어서,SiC웨이퍼 일면에 에피층을 형성한 구조이며,하기 수학식 2를 만족하는 SiC웨이퍼:[수학식 2]((Rb - Ra) / Rb) × 100 003c# 16 %상기 수학식 2에서,Ra는 에피공정 전의 표면조도를 의미하고,Rb는 에피공정 후의 표면조도를 의미하며,상기 표면조도는 KSB0161에 규정하는 표면조도에 따라 측정하였다
3 3
수소분위기 하의 열처리 단계를 포함하는 SiC웨이퍼 표면 처리 방법
4 4
제 3 항에 있어서,수소분위기 하의 열처리 단계는 화학적 기계적 연마 및 화학약품 처리 이후에 수행되는 SiC웨이퍼 표면 처리 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 수소분위기 하의 열처리 시 열처리로의 수소 유량은 80 내지 350 SLM 인 SiC웨이퍼 표면 처리 방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 수소분위기 하의 열처리는 100 내지 1200 ℃ 의 온도 범위에서 수행되며,2 내지 10 분 동안 수행되는 SiC웨이퍼 표면 처리 방법
7 7
제 3 항에 있어서,수소분위기 하의 열처리시 수소 가스의 순도는 99 % 이상인 SiC웨이퍼 표면 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.