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수소 누설 검지센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015110509
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수소 누설 검지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 수소가스를 검출하는 접촉 연소식 수소 누설 검지센서에 있어서; SOI 기판과; 상기 SOI 기판의 상,하 양면에 형성된 실리콘 산화막과; 상기 SOI 기판의 상면에 형성된 실리콘 산화막의 상부에 Ti로 형성된 제1접착층과; 상기 제1접착층 상면에 형성된 코일 형상의 백금 히터와; 상기 백금 히터를 완전히 덮도록 백금 히터상에 형성된 알루미나 절연막과; 상기 알루미나 절연막의 상면에 Ti로 형성된 제2접착층과; 상기 제2접착층 상면에 형성된 백금족촉매층과; 상기 SOI 기판의 하면에 형성된 실리콘 산화막과 SOI 기판이 건식 에칭되어 형성된 백에칭부를 포함하여 구성된 수소 누설 검지센서 및 그 제조방법을 제공한다. 이에 따라, 본 발명은 SOI 기판은 재료의 구조 특성상 반도체 공정에서 충분하게 원하는 구조로 간단하게 구현 가능하다는 특징이 있어, 신뢰성이 요구되는 센서 제작에 유용하다는 장점이 있으며, MEMS(Micro Electro MechAnicAl Systems) 기술이 적용되므로 낮은 가격으로 대량생산이 가능하며, 저전력 구동 및 소형화가 가능하다. 수소센서, 백금, MEMS, SOI, 접촉 연소식, 촉매
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01)
CPC G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01)
출원번호/일자 1020070075391 (2007.07.27)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원, 세종공업 주식회사
등록번호/일자 10-0905106-0000 (2009.06.22)
공개번호/일자 10-2009-0011622 (2009.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20090630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
2 세종공업 주식회사 대한민국 울산광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김흥락 대한민국 경북 경주시
2 이경일 대한민국 경북 포항시 북구
3 서호철 대한민국 울산 북구
4 조용준 대한민국 경북 영주시 문수면

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 에이스하이-엔드타워*제*층 ***호 홍익국제특허법률사무소 (가산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
2 세종공업 주식회사 대한민국 울산광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0546719-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0052778-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0079406-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0244315-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0244316-92
7 등록결정서
Decision to grant
2009.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0201212-47
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.11 수리 (Accepted) 4-1-2015-5122424-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수소가스를 검출하는 접촉 연소식 수소 누설 검지센서에 있어서; 1개의 검지소자와 3개의 보상소자가 형성되고, 각 소자에는 2개씩의 패드가 형성되어 있는 SOI 기판과; 상기 SOI 기판의 상,하 양면에 형성된 실리콘 산화막과; 상기 SOI 기판의 상면에 형성된 실리콘 산화막의 상부에 Ti로 형성된 제1접착층과; 상기 제1접착층 상면에 형성된 코일 형상의 백금 히터와; 상기 백금 히터를 완전히 덮도록 백금 히터상에 형성된 알루미나 절연막과; 상기 알루미나 절연막의 상면에 Ti로 형성된 제2접착층과; 상기 제2접착층 상면에 형성된 백금족촉매층과; 상기 SOI 기판의 하면에 형성된 실리콘 산화막과 SOI 기판이 건식 에칭되어 형성된 백에칭부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수소 누설 검지센서
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서; 상기 실리콘 산화막은 4000-6000Å의 두께로 형성되고, 상기 제1,2접착층은 100-300Å의 두께로 형성되며, 상기 백금 히터는 1000-3000Å의 두께로 형성되고, 상기 알루미나 절연막은 2500-5000Å의 두께로 형성되며, 상기 백금족촉매층은 200-700Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 수소 누설 검지센서
4 4
접촉 연소식 수소 누설 검지센서를 제조하는 방법에 있어서; SOI 기판을 구비한 후 그 상,하 양면에 건식 산화방식으로 SiO2를 증착하여 4000-6000Å의 두께로 실리콘 산화막을 형성하는 제1단계와; 상기 제1단계에서 형성된 실리콘 산화막중 SOI 기판 상면에 형성된 것 위에Ti로 제1접착층을 100-300Å의 두께로 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계에서 형성된 제1접착층 위에 리프트오프법으로 백금 히터를 증착하고 리프트오프법을 이용해 코일 형태로 패터닝하는 제3단계와; 상기 제3단계에서 패터닝된 백금 히터가 묻히도록 Al2O3를 2500-5000Å의 두께로 스퍼터링하여 알루미나 절연막을 증착하고 패터닝하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 패터닝된 알루미나 절연막 위에 Ti로 제2접착층을 100-300Å의 두께로 형성하는 제5단계와; 상기 제5단계에서 형성된 제2접착층 위에 백금족촉매층을 200-700Å의 두께로 형성한 다음 리프트오프법으로 패터닝하는 제6단계와; 상기 제6단계후 수소센서의 뒷면을 이루는 실리콘 산화막과 SOI 기판을 드라이에칭하여 식각하는 제7단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소 누설 검지센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.