맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

단결정 선구조의 SOI웨이퍼 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015110785
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직접접합 SOI(silicon on insulator)기판 제조기술과 실리콘을 선택적으로 식각하는 기술을 이용하여, 실리콘 단결정 선의 폭이 기판의 길이방향으로 점차 좁아지는 구조의 SOI기판 구조를 갖는 단결정 선구조의 SOI 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 단결정 선구조의 SOI 웨이퍼는 보조웨이퍼로 사용된 실리콘 기판과, 상기 기판을 산화할 때 생성된 산화막과, 상기 산화막 위에서, 실리콘 웨이퍼 직접접합 계면에서 표면으로 갈수록 좁은 폭에서 넓은 폭의 모양을 하는 실리콘 단결정 선과, 상기 실리콘 단결정 선 사이가 서로 분리되도록 하는 절연막을 구비하고, 본 발명에 의한 SOI 웨이퍼 제조방법은 주웨이퍼로 사용된 실리콘 기판표면에 산화막을 형성한 후 사진식각방법에 의해 선택적으로 제거하고 건식식각방법 또는 습식식각방법으로 비등방성식각 또는 등방성식각 공정을 실시하는 단계와, 상기 공정후 표준세척공정을 실시하고, 열산화공정을 실시하는 단계와, 상기 공정후 저압기상증착 또는 TEOS공정을 실시하는 단계와, 상기 공정후 평탄화공정을 실시하는 제조공정법에 의해 제작된 주 웨이퍼와 보조 웨이퍼의 거울면을 서로 마주보게 직접접합하고 열처리공정을 실시하는 단계와, 상기 공정후 직접접합된 주웨이퍼의 뒷면에서 부터 일정한 두께로 박막화하는 공정을 실시하는 단계로 이루어져, 단결정 선구조의 SOI 웨이퍼를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/7624(2013.01) H01L 21/7624(2013.01) H01L 21/7624(2013.01) H01L 21/7624(2013.01) H01L 21/7624(2013.01) H01L 21/7624(2013.01)
출원번호/일자 1019970049656 (1997.09.29)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0305686-0000 (2001.08.01)
공개번호/일자 10-1999-0027225 (1999.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20011019) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.12)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정욱진 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김광일 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 이광철 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
2 이성동 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
3 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0157562-59
2 특허출원서
Patent Application		 1997.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0157561-14
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1999.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5357531-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
5 등록결정서
Decision to grant		 2001.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0190611-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

단결정 선구조의 SOI 웨이퍼에 있어서,

직접접합 SOI(silicon on insulator) 웨이퍼를 제조하기 위하여 두장의 웨이퍼를 사용할 때 보조웨이퍼로 사용된 실리콘 기판(1)과,

상기 실리콘 기판(1)을 일정두께로 산화할 때 생성된 산화막(2)과,

상기 산화막(2) 위에 존재하며, 실리콘 웨이퍼 직접접합 계면(5)으로부터 표면으로 갈수록 좁은 폭에서 넓은 폭의 곡선모양을 하는 실리콘 단결정 선(3)과,

상기 실리콘 단결정 선(3) 사이가 서로 분리되도록 하는 절연막(4)을 구비하는 것을 특징으로 하는 단결정 선구조의 SOI 웨이퍼

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.