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ITO 에칭폐액으로부터 산 회수 및 인듐, 주석을회수하는 방법

  • 기술번호 : KST2015110903
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 LCD(Liquid Crystal Display) 및 반도체 제조공정에서 사진식각기술을 이용한 패턴 형성시 사용되는 에칭액의 폐액으로서 주로 인듐과 주석을 함유한 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐과 주석을 분리 회수하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 ITO(Indium Tin Oxide) 에칭폐액을 여과하여 불용성 불순물을 제거하는 단계; 상기 마이크로 필터의 여과 액을 진공증발로 산을 회수하는 단계; 상기 진공증발 후 잔류 액에 가성소다 등의 알카리를 투입하여 금속 불순물만을 수산화물로 만들어 침전, 분리하는 단계; 상기 금속 불순물을 제거한 정제용액으로부터 전해채취로 인듐과 주석을 분리 회수하는 단계를 포함하는 ITO 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐 및 주석을 주괴(Ingot)로 회수하는 방법을 포함한다. 상기 본 발명의 발명으로 ITO 에칭폐액을 이용하여 산을 회수함으로써 ITO 에칭액으로 재활용 가능하고, 또한 인듐과 주석을 주괴로 회수하여 재활용함으로써 수입에만 의존하는 고가의 인듐을 수입대체 할 수 있다. ITO 에칭폐액, Indium Tin Oxide, Indium Ingot, 재활용, 전해채취, 폐에칭액
Int. CL C02F 9/08 (2006.01) C02F 1/04 (2006.01) C02F 1/52 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01)
CPC C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01)
출원번호/일자 1020060090136 (2006.09.18)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원, 대일개발 주식회사
등록번호/일자 10-1249990-0000 (2013.03.27)
공개번호/일자 10-2008-0025531 (2008.03.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
2 대일개발 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성국 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
2 대일개발 주식회사 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0671794-82
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0713223-71
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0092554-11
5 등록결정서
Decision to grant
2012.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0791877-08
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.10.17 수리 (Accepted) 4-1-2016-0072767-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
1 1
ITO(Indium Tin Oxide) 에칭폐액을 여과하여 고형분 불순물을 제거하는 단계; 상기 여과액에서 진공 증발법을 이용하여 산을 회수하는 단계; 상기 산의 회수 후 잔류액에 알카리를 투입하여 금속성 불순물만을 수산화물로 침전 및 분리하는 단계; 상기 금속성 불순물을 제거한 정제용액으로부터 전해채취법으로 인듐 및 주석을 분리 회수하는 단계를 포함하는 ITO 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐 및 주석을 회수하는 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 진공증발법의 진공도는 -520mmHg ~ -540mmHg로 설정하고, 진공 반응기 내의 온도는 78℃ ~ 90℃로 설정하는ITO 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐 및 주석을 회수하는 방법
3 3
제1항에 있어서,pH를 9-10으로 조절하여 금속 불순물만을 수산화물로 침전, 분리하는 ITO 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐 및 주석을 회수하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 전해채취법에서 전류 밀도를 1mA/cm2 내지 7mA/cm2 범위의 값으로 설정하는 ITO 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐 및 주석을 회수하는 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 전해채취법에서 전류 밀도를 1mA/cm2 이상 5mA/cm2 미만 범위의 값으로 설정하는 ITO 에칭폐액으로부터 주석을 선택적으로 분리 회수 하는 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 전해채취법에서 전류 밀도를 5mA/cm2 이상 7mA/cm2 이하 범위의 값으로 설정하는 ITO 에칭폐액으로부터 인듐과 주석을 인듐과 주석의 혼합물로 회수 하는 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 전해채취법에서 불용성 전극을 사용하는ITO 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐 및 주석을 회수하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 산의 회수 단계에서 진공 증발법의 진공도를 -520mmHg ~ -540mmHg로 설정하고, 진공 반응기 내의 온도를 78℃ ~ 90℃로 설정하고,상기 금속성 불순물을 분리하는 단계에서 알카리를 이용하여 pH를 9-10로 조절하여 금속성 불순물만을 수산화물로 침전 분리하며,상기 인듐과 주석을 회수하는 단계에서 전해채취법의 전류 밀도의 범위를 1mA/cm2 ~ 7mA/cm2으로 설정하고, 그리고전해채취 단계에서 불용성 전극을 사용하는ITO 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐 및 주석을 회수하는 방법
9 9
제1항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서,인듐 및 주석을 주괴(ingot)형태로 회수하는 것을 특징으로 하는 ITO 에칭폐액으로부터 산을 회수하고 인듐 및 주석을 회수하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.