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실리콘기판의전자수명증가방법

  • 기술번호 : KST2015111234
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체소자로 이용되는 실리콘 기판의 전자수명을 향상시키는 방법에 관한 것이며; 그 목적은 실리콘 기판의 표면에서 일정깊이 부분을 불순물의 없는 디누드층으로 만들어 전자수명을 향상시키는 방법을 제공함에 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 실리콘 기판의 전자수명을 향상시키는 방법에 있어서, 실리콘 기판을 산소분위기에서 500-800℃의 온도에서 20-30분간 유지하여 유기물 및 금속오염원을 제거하는 1단계 열처리하고, 상기 1단계 열처리 직후 900-1100℃의 온도범위로 승온하고, 수소와 질소의 혼합가스 분위기에서 3-8시간 유지하여 디누드 층을 형성하는 2단계 열처리하여 이루어지는 실리콘 기판의 전자수명 향상방법.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1019970073933 (1997.12.26)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0340589-0000 (2002.05.31)
공개번호/일자 10-1999-0054148 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.12)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김흥락 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 강성건 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 류근걸 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김동수 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
2 이성동 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
3 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0230225-24
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0230226-70
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1999.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5357577-87
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0217739-17
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.10.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5287953-48
7 의견서
Written Opinion		 2001.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2001-5287952-03
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0129526-47
9 FD제출서
FD Submission		 2002.06.14 수리 (Accepted) 2-1-2002-5114641-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판의 전자수명을 향상시키는 방법에 있어서,

실리콘 기판을 산소분위기에서 500-800℃의 온도에서 20-30분간 유지하여 유기물 및 금속오염원을 제거하는 1단계 열처리하고, 이 1단계 열처리 직후 900-1100℃의 온도범위로 승온하고, 수소와 질소의 혼합비가 1:10-1:100의 혼합가스 분위기에서 3-8시간 유지하여 디누드 층을 형성하는 2단계 열처리함을 특징으로 하는 실리콘 기판의 전자수명 향상방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.