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타이머(11)의 출력측을 카운터(12-14)에 순차 접속함과 아울러 인버터(I1)를 통해 낸드게이트(NAND1)의 일측입력단자에 접속하고, 상기 카운터(12),(13),(14)의 각 출력단자(A),(D),(A)를 디코더(16)의 입력단자(A,B,C)에 각기 접속한 후 그의 출력단자(Q15)를 인버터(I2)를 통해 상기 낸드게이트(NAND1)의 타측입력단자에 접속하고, 그 낸드게이트(NAND1)의 출력단자를 디멀티플렉서(17) 및 멀티플렉서(19)의 인히비트단자(INH)에 접속함과 아울러 상기 카운터(13)의 출력단자(A,B,C)를 상기 디멀티플렉서(17) 및 멀티플렉서(19)의 입력단자(A,B,C)에 각기 공통접속하여, 그 디멀티플렉서(17)의 선택단자(X0-X7)를 다이오드(D10-D17)를 통해 센서단자(S10-S17)에 접속하고, 센서단자(S20-S27)를 상기 멀티플렉서(19)의 선택단자(X0-X7)에 접속하며, 상기 멀티플렉서(19)의 공통단자(COM)를 비반전입력단자에 기준전압이 인가되는 비교기(20)의 반전입력단자에 접속한 후 그의 출력단자를 다른 보드출력단자(OB)와 함께 낸드게이트(NAND4)를 통하고 인버터(I4)를 다시 통해 플립플롭(21)의 클럭단자(CK)에 접속하며, 상기 카운터(12)의 출력단자(D)를 카운터(23)의 입력단자에 접속하여, 그의 출력단자(B,D)를 낸드게이트(NAND4)를 통해 카운터(24)의 입력단자에 접속하고, 상기 카운터(14)의 출력단자(B)를 원쇼트발생기(15)를 통한 후 리세트신호입력단자(RS)와 함께 낸드게이트(NAND3)를 통해 상기 카운터(12-14,24)의 리세트단자(RO)에 공통접속함과 아울러 인버터(I5)를 다시 통해 상기 플립플롭(21)의 클리어단자(CL)에 접속하고, 상기 인버터(I5)의 출력단자를 상기 낸드게이트(NAND4)의 출력단자와 함께 낸드게이트(NAND5)를 통해 상기 카운트(23)의 리세트단자(RO)에 접속하며, 상기 카운터(23,24)의 출력단자(A-D)를 래치(25,26)를 통해 세븐세그먼트구동부(27,29)에 접속하고, 상기 플립플롭(21)의 출력단자(Q)를 원쇼트발생기(22)를 통한 후 상기 리세트신호입력단자(RS)와 함께 낸드게이트(NAND6)를 통해 상기 래치(25,26)의 이에이블단자(E)에 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 전기전도식 고체 및 유체레벨 검출회로
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제 1 항에 있어서, 상기 디코더(16)의 출력단자(Q14)를 인버터(I3)를 통한 후 상기 인버터(I1)의 출력단자와 함께 낸드게이트(NAND2)를 통해 디멀티플렉서(18)의 인히비트단자(INH)에 접속하여, 그의 선택단자(X0-X7)를 트랜지스터(TR10-TR17)의 베이스측에 접속함과 아울러 다이오드(D20-D27)를 통해 상기 센서단자(S20-S27) 및 트랜지스터(TR20-TR27)의 콜렉터측에 접속하고, 상기 디멀티플렉서(17)의 선택단자(X0-X7) 및 센서단자(S10-S17)를 상기 트랜지스터(TR20-TR27)의 베이스측 및 상기 트랜지스터(TR10-TR17)의 콜레터측에 각기 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 전기전도식 고체 및 유체레벨 검출회로
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