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기판과; 상기 기판 상에 형성된 하부전극과; 상기 하부전극 상에 형성된 하부 클래딩층과; 상기 하부 클래딩층 상에, 전기폴링에 의해 전기광학적 효과를 가짐으로써 광도파로를 이루도록 형성된 유기분자-실리카 복합체 박막층과; 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층 상에 형성된 상부 클래딩층과; 상기 광도파로의 상부에 형성된 상부전극을 구비하는 전기광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 상부전극이 상기 광도파로를 통과하는 광신호에 변조를 유도함으로써 광변조기 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 전기광학소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층은, N,N'-디메틸포름아미드 용매하에서 두 개의 히드록시 그룹을 포함하는 2차 비선형 유기분자와 3-이소시아나토프로필 트리에톡시실레인과의 반응에 의해 우레탄 결합된 다음 화학식의 솔젤 단량체를 중간체로 이용하는 코팅액으로부터 만들어지는 것을 특징으로 하는 전기광학 소자
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제3항에 있어서, 상기 2차 비선형 유기분자물질은: (1) 테트라히드로푸란에 아닐린-N,N-디에탄올과 트리에틸라민을 용해시킨 다음 벤조일 클로라이드를 적가시킨 반응물을 교반시키고 H2O에 첨가한 다음 생긴 침전물을 메탄올에서 재결정하여 N,N-디(2-벤족시에틸)-아닐린을 얻는 단계와; (2) DMF에 포스포러스 옥시클로라이드를 적가시키고, DMF 속에 용해되어 있는 상기 N,N-디(2-벤족시에틸)-아닐린을 적가 후 교반하고, 그 반응결과물을 얼음에 붓고 메틸 클로라이드를 이용하여 추출한 후 용매를 제고하고 메탄올에서 재결정함으로써 4-[N,N-디(2-벤족시에틸)]벤잘디하이드를 얻는 단계와; (3) D
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제3항에 있어서, 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층은, 상기 솔젤 단량체와 TEOS를 솔-젤 반응시켜 주사슬에 무기 고분자 매질 SiO2를 도입한 다음 화학식의 2차 비선형 유기-실리카 고분자재료를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전기광학 소자
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제5항에 있어서, 상기 고분자재료는: 상기 4-[N,N-디-(2-드리에톡시실란옥시에틸)아미노]-4'-니트로스틸벤에 TEOS와 산성용액을 첨가하여 중합 및 공중합시킨 용액을 얻는 단계와; 상기 용액을 교반하여 가수분해와 축중합반응시켜 솔용액을 얻는 단계를 통해 만들어지는 것을 특징으로 하는 전기광학 소자
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유기분자-실리카 복합체 박막층을 형성하는 단계와; 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층을 열처리하여 경화시키는 단계와; 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층이 전기광학적 효과를 갖도록 전기폴링하는 단계를 포함하는 전기광학 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층의 형성은: 기판 상에 금속을 증착시켜 하부전극을 형성하는 단계와; 상기 하부전극 상에 하부 클래딩층을 형성하는 단계를 거친 후에 이루어지며, 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층의 열처리는: 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층 상에 상부 클래딩층을 형성하는 단계를 더 거친 후에 진행되며, 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층에 대한 전기폴링은: 상기 상부 클래딩층 상에 제1 금속층을 형성하고, 이를 상기 기판의 단부까지 연장된 광도파로 형태로 패터닝하여 광표백용 마스크를 형성하는 단계와; 상기 광표백용 마스크가 형성된 결과물에 광을 조사하여 광표백효과를 이용함으로써 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층에 광도파로를 형성하는 단계와; 상기 광도파로가 형성된 결과물 상에 제2 금속층을 형성하는 단계를 차례로 거친 후에 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층 내의 유기분자를 극성배향하기 위해 이루어지며, 상기 전기폴링단계 후에, 상기 제2 금속층을 식각하여 상부전극을 형성하는 단계를 더 구비하여 광변조기를 제조하는 것을 특징으로 하는 전기광학 소자의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 전기폴링을 진행할 때 조절하여 최적화하는 공정 파라미터는 폴링온도 및 폴링시간인 것을 특징으로 하는 전기광학 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 전기폴링단계는: 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층에 직류전압을 인가하는 직류 전기폴링법인 것을 특징으로 하는 전기광학 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 직류 전기폴링법을 적용하기 전에 상기 유기분자-실리카 복합체 박막층을 경화시키기 위해 행해지는 열처리는 160∼200℃에서 20∼30분간 행해지는 것을 특징으로 하는 전기광학 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 직류 전기폴링법은 150∼200℃에서 1∼20시간 행해지는 것을 특징으로 하는 전기광학 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 광표백효과를 이용하여 형성되는 광도파로는 단일모드 광도파로인 것을 특징으로 하는 전기광학 소자의 제조방법
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