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인공소택지를 이용한 산성광산폐수의 처리방법

  • 기술번호 : KST2015111460
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중금속 및 황산염 이온을 다량 함유하는 산성광산폐수의 처리방법에 관한 것으로서, 일정 수위 이상이 되면 바이패스되도록 설계된 1차 집수조에 상기 광산폐수를 유입시키는 단계; 상기 1차 집수조로부터 방출되는 폐수를 2차 집수조에 유입시켜 일차적으로 형성된 중금속 수산화물을 침전시키고 후속공정으로 방출되는 폐수의 수두를 조절하는 단계; 그 기저부로부터 자갈층, 석회석층, 기질물질층, 녹조류 및 식물체 서식층으로 이루어진 혐기성 인공소택지에 상기 2차 집수조로부터 방출되는 폐수를 상향류 방식으로 유입시키는 단계; 상기 혐기성 인공소택지로부터 방출되는 처리수를 침전조에 유입시켜 중금속 침전물 및 고형물을 제거하는 단계; 및 자갈층, 석회석층, 우분퇴비층 및 식물체층이 순차로 적층된 전반부와 자갈층, 석회석층 및 녹조류층이 순차로 적층된 후반부를 포함하는 호기성 인공소택지의 전반부에 상기 침전조로부터 방출되는 처리수를 유입시켜 최종적으로 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C02F 9/00 (2006.01)
CPC C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01) C02F 9/00(2013.01)
출원번호/일자 1019990002179 (1999.01.25)
출원인 삼성엔지니어링 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0465454-0000 (2004.12.29)
공개번호/일자 10-2000-0051626 (2000.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20050113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.03.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성엔지니어링 주식회사 대한민국 서울 강동구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나현준 대한민국 대전광역시유성구
2 이원권 대한민국 서울특별시송파구
3 한기철 대한민국 서울특별시송파구
4 이성택 대한민국 대전광역시유성구
5 전철학 중국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
2 삼성엔지니어링 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application
1999.01.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-0004842-64
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
1999.01.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5027112-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2000-0100414-41
5 출원심사청구서
Request for Examination
2003.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0101478-97
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2003.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-5148729-25
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2003.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2003-5233344-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 등록결정서
Decision to grant
2004.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0489413-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.10.30 수리 (Accepted) 4-1-2007-0019573-65
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2012-5144045-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5052089-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

중금속 및 황산염 이온을 다량 함유하는 산성광산폐수의 처리방법에 있어서,

일정 수위 이상이 되면 바이패스되도록 설계된 1차 집수조에 상기 광산폐수를 유입시키는 단계;

상기 1차 집수조로부터 방출되는 폐수를 2차 집수조에 유입시켜 일차적으로 형성된 중금속 수산화물을 침전시키고 후속공정으로 방출되는 폐수의 수두를 조절하는 단계;

그 기저부로부터 자갈층, 석회석층, 기질물질층, 녹조류 및 식물체 서식층으로 이루어진 혐기성 인공소택지에 상기 2차 집수조로부터 방출되는 폐수를 상향류 방식으로 유입시키는 단계;

상기 혐기성 인공소택지로부터 방출되는 처리수를 침전조에 유입시켜 중금속 침전물 및 고형물을 제거하는 단계; 및

자갈층, 석회석층 및 우분퇴비층과 식물체층이 순차로 적층된 전반부와 자갈층, 석회석층 및 녹조류층이 순차로 적층된 후반부를 포함하는 호기성 인공소택지의 전반부에 상기 침전조로부터 방출되는 처리수를 유입시켜 최종적으로 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 혐기성 인공소택지의 기질물질층은 황산염환원균이 우점종으로 존재하는 미생물 그래뉼 및 톱밥함유 우분퇴비를 포함하는 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

3 3

제2항에 있어서, 미생물 그래뉼의 함량이 기질물질층의 전체 부피를 기준으로 7 내지 10 부피%인 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

4 4

제2항에 있어서, 상기 황산염환원균의 98%이상이 불완전산화 황산염환원균인 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 혐기성 인공소택지에 적층된 자갈층은 20 내지 40cm, 석회석층은 20cm 내지 40cm, 기질물질층은 80 내지 100cm의 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 혐기성 인공소택지의 유출구 부근의 기질물질층의 높이를 다른 부위보다 30 내지 40cm 낮게 하여 녹조류의 서식을 집중적으로 유도하는 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 침전조에는 유입수의 하향유동을 야기하는 상부격벽과 상향유동을 야기하는 하부격벽이 교대로 설치되어 있으며, 유출구에 인접한 격벽은 다른 격벽보다 길이가 짧은 상부격벽인 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

8 8

제1항에 있어서, 상기 호기성 인공소택지의 전반부에 투입되는 우분퇴비층이 톱밥함유 우분퇴비를 포함하는 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

9 9

제1항에 있어서, 상기 호기성 인공소택지의 전반부와 후반부는 유입수의 상향유동을 야기하는 하부격벽에 의해 구분되며, 상기 전반부와 후반부 각각은 유입수의 하향유동을 야기하는 상부격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

10 10

제1항에 있어서, 상기 호기성 인공소택지의 전반부에 순차로 적층된 자갈층은 20 내지 40cm, 석회석층은 20 내지 40cm, 우분퇴비층은 320 내지 40cm의 두께로 이루어지며, 상기 호기성 인공소택지의 후반부에 순차로 적층된 자갈층은 20 내지 40cm, 석회석층은 20 내지 40cm의 두께로 이루어진 인공소택지를 이용하는 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

11 11

제1항에 있어서, 상기 식물체는 갈대, 부들, 자생초본류와 같은 반수생식물인 것을 특징으로 하는 산성광산폐수의 처리방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.