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환화아미드로 치환된 스티렌계 유도체를 이용한 포토레지스트

  • 기술번호 : KST2015111475
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다:상기 식에서,R1은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고;R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO2R', -CONR', -SO2R' 또는 -PO2R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기)이며;R3는 -OR', -SO3R', -CO2R', -PO3R', -SO2R' 또는 -PO2R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포함한 시클로기)이고;R4 및 R5는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며;R6는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO2H, -CO2R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R5와 동일한 기이고; 및, m은 0 내지 10의 정수이다.
Int. CL G03F 7/039 (2006.01)
CPC G03F 7/0397(2013.01) G03F 7/0397(2013.01) G03F 7/0397(2013.01) G03F 7/0397(2013.01) G03F 7/0397(2013.01) G03F 7/0397(2013.01)
출원번호/일자 1019980036332 (1998.09.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0180974-0000 (1998.12.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (19990401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-1996-0011140 (1999.01.01)
관련 출원번호 1019960011140
심사청구여부/일자 Y (1998.09.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진백 대한민국 서울특별시 동대문구
2 박종진 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1998-0110306-88
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1998-0110305-32
3 특허분할출원서
Divisional Application of Patent		 1998.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1998-0110304-97
4 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1998-0034158-48
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 측쇄에 환화아미드 유도체를 갖는 스티렌계 유도체를 단량체로 하여 중합한 단독중합체 또는 공중합체를 이용하는 화학증폭형 포토레지스트:

2

하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 측쇄에 환화아미드 유도체를 갖는 스티렌계 유도체와 다른 스티렌계 유도체 또는 비닐아크릴레이트 계통의 유도체를 중합한 공중합체를 이용하는 화학증폭형 포토레지스트:

3

제 2항에 있어서,

스티렌계 유도체는 0

4 4

제 1항의 화학증폭형 포토레지스트를 실리콘 웨이퍼에 코팅하여 패턴을 갖는 포토마스크를 통하여 노광부위를 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법

5 5

제 4항에 있어서,

노광은 피막에 포토마스크가 접촉된 상태에서 또는 접촉되지 않은 상태에서 행하여지는 것을 특징으로 하는

레지스트 패턴을 형성하는 방법

6 6

제 4항에 있어서,

현상액은 셀로 솔브 아세테이트, 프로판올, 시클로헥사논, 크실렌, 부틸 셀로솔브, 부틸카비톨, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜, 트리클로로에탄, 트리클로로에틸렌, 개질 클로로에탄, 이소프로판올, 디클로로메탄, 수산화 칼륨 수용액, 수산화 나트륨 수용액, 탄산칼륨 수용액, 인산나트륨 수용액, 규산나트륨 수용액, 암모니아수, 수성아민용액 및 계면활성제 수용액으로 구성된 그룹으로 부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는

레지스트 패턴을 형성하는 방법
7 7

제 2항의 화학증폭형 포토레지스트를 실리콘 웨이퍼에 코팅하여 패턴을 갖는 포토마스크를 통하여 노광부위를 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법

8 8

제 7항에 있어서,

노광은 피막에 포토마스크가 접촉된 상태에서 또는 접촉되지 않은 상태에서 행하여지는 것을 특징으로 하는

레지스트 패턴을 형성하는 방법

9 9

제 7항에 있어서,

현상액은 셀로 솔브 아세테이트, 프로판올, 시클로헥사논, 크실렌, 부틸 셀로솔브, 부틸카비톨, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜, 트리클로로에탄, 트리클로로에틸렌, 개질 클로로에탄, 이소프로판올, 디클로로메탄, 수산화 칼륨 수용액, 수산화 나트륨 수용액, 탄산칼륨 수용액, 인산나트륨 수용액, 규산나트륨 수용액, 암모니아수, 수성아민용액 및 계면활성제 수용액으로 구성된 그룹으로 부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는

레지스트 패턴을 형성하는 방법

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR0173432 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR970071139 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.