요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약
본 발명은 하기 일반식(I)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.상기 식에서,R1은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고;R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO2R', -CONR', -SO2R' 또는 -PO2R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기 ; 또는, 시클로알킬기)이며;R3는 -OR', -SO3R', -CO2R', -SO2R' 또는 -PO2R(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포함한 시클로기)이고;R4 및 R5는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며;R6는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO2H, -CO2R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R5와 동일한 기이고; 및, n은 0또는 1의 정수이다.