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입계조절형티탄산스트론튬의제조방법

  • 기술번호 : KST2015111610
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유전성 산화층이 얇고 균일하게 형성된 고유전율 소자용 티탄산스트론튬 입계 절연형 유전체의 제조 방법을 제공한다.티탄산스트론튬 분말에 Nb2O3를 첨가하고 냉간 가압 성형한다. 이어서 성형체를 1480도C의 온도, H2/N2=5/95 분위기하에서 4시간 동안 소결한다. 티탄산스트론튬 소결체를 경면 연마하여 한 쪽 경면에는 BaTiO3와 CaTiO3의 혼합물로, 나머지 면은 상기 소결체와 동일한 조성의 분말로 둘러 싸서 냉간 가압 성형하고, 이어서 1200-1400도C, H2/N2=5/95 분위기하에서 5-30시간 동안 열처리하여 티탄산스트론튬 소결체에 BaTiO3와 CaTiO3를 고상 확산시킨 후, 추가로 공기 또는 산소 분위기, 900-1200도C의 온도, 0.1-5시간의 조건하에서 산화시킴으로써 고유전율 소자용 입계 산화형 티탄산스트론튬 유전체가 얻어진다.
Int. CL C04B 35/645 (2006.01.01) C04B 35/626 (2006.01.01) C04B 35/47 (2006.01.01) C04B 41/85 (2006.01.01) C04B 41/50 (2006.01.01) H01B 3/12 (2006.01.01)
CPC C04B 35/645(2013.01) C04B 35/645(2013.01) C04B 35/645(2013.01) C04B 35/645(2013.01) C04B 35/645(2013.01) C04B 35/645(2013.01) C04B 35/645(2013.01) C04B 35/645(2013.01)
출원번호/일자 1019930003376 (1993.03.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0098589-0000 (1996.04.22)
공개번호/일자 10-1994-0021424 (1994.10.17) 문서열기
공고번호/일자 1019960001657 (19960203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.03.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경진 대한민국 서울특별시마포구
2 김주선 대한민국 서울특별시도봉구
3 강석중 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 김성택 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1993-0018594-90
2 특허출원서
Patent Application		 1993.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1993-0018593-44
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1993-0018595-35
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1993-0018596-81
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.04.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0018597-26
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.04.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0018598-72
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0006737-90
8 등록사정서
Decision to grant		 1996.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0006738-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

SrTiO3 소결체를 혼합비(BaTiO3/CaTiO3)가 1±0

2 2

제1항에 있어서, 상기 열처리가 H2/N2=5/95의 분위기하에 1,200°∼1,400℃의 온도에서 5∼30시간동안 수행되는 것이 특징인 방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 공기 또는 산소 분위기 하에 900。∼1,200℃의 온도에서 0

4 4

제1항의 방법으로 제조하 입계 산화형 티탄산스트론튬 유전체

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.