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표면 및 결합특성이 향상된 질화알루미늄(AIN) 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015111650
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화알루미늄 박막을 질소 플라즈마 처리를 하여, 낮은 공정온도에서도 표면 평탄도와 박막내의 화학적, 전기적 특성이 크게 향상된 질화알루미늄 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면 기존의 방법보다 더욱 낮은 온도와 짧은 시간에, 박막의 평탄도, 화학적, 전기적 안정성을 뛰어나게 개선시킬 수 있어 표면탄성파 소자 제작시 압전기판재료로서 질화알루미늄의 조건을 만족시킬 수 있으며, 또한 질화갈륨의 완충층으로서 사용될 때도 뛰어난 기능을 할 수 있으리라 본다. 그리고 광학소자로 이용될 때에도 표면이 평탄해 짐에 따라 빛의 산란을 방지할 수 있을 것이며, 화학적 안정성 증가에 따라 실제 보호피막으로 사용될 때에도 부식방지에도 큰 역할을 하게 될 것으로 기대한다.
Int. CL H01L 21/321 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990048652 (1999.11.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0372750-0000 (2003.02.05)
공개번호/일자 10-2001-0045383 (2001.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.11.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재영 대한민국 대전광역시유성구
2 조민희 대한민국 대전광역시유성구
3 김해열 대한민국 대전광역시유성구
4 강윤선 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1999-0142978-67
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0212541-13
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2001.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2001-5276718-78
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2001.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2001-0255818-60
5 의견서
Written Opinion
2001.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2001-0288989-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0169475-33
7 의견서
Written Opinion
2002.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-0225268-45
8 등록결정서
Decision to grant
2002.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0410042-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

표면 및 결합특성의 향상을 목적으로 하는 질화알루미늄(AlN) 박막의 처리방법에 있어서, 질화알루미늄 박막증착 후에 상기 박막의 후처리 공정으로서 마이크로웨이브 플라즈마를 처리하여 주는 것을 특징으로 하는 표면 및 결합특성이 향상된 질화알루미늄(AlN) 박막의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 플라즈마 처리에 사용되는 화학적 반응가스로는 질소, 수소, 암모니아 가스에서 선택된 1종임을 특징으로 하는 표면 및 결합특성이 향상된 질화알루미늄(AlN) 박막의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 질화알루미늄박막과의 이온충돌과 표면 에칭 효과를 위하여 사용 가능한 가스로는 불활성 기체인 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤 또는 세논에서 선택되어진 1종임을 특징으로 하는 표면 및 결합특성이 향상된 질화알미늄(AlN) 박막의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03450818 JP 일본 FAMILY
2 JP13181823 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE10053834 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE10053834 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 JP2001181823 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP3450818 JP 일본 DOCDBFAMILY
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