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화학기상증착법에의한코발트실리사이드콘택형성방법

  • 기술번호 : KST2015111708
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성을 위한 화학기상증착법에 의한 코발트실리사이드(cobalt silicide)제조방법에 관한 것이다. 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스/드레인(source/drain) 및 폴리실리콘 게이트(poly-Si gate) 전극의 접촉저항을 감소시키기 위한 실리사이드(silicide) 공정을 화학기상증착법에 의해 기판을 600℃로 코발트의 증착과 동시에 실리콘 표면에서 코발트와 실리콘의 금속간 화합물인 CoSi를 형성시키고 700-800℃로 열처리하여 저 접촉저항을 갖는 CoSi2를 형성시킴으로서 콘택형성 공정을 단순화시키고 화학기상증착법의 장점인 도포성(step coverage)이 우수하여 Giga DRAM급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다.
Int. CL C23C 16/42 (2006.01)
CPC H01L 29/0843(2013.01) H01L 29/0843(2013.01) H01L 29/0843(2013.01) H01L 29/0843(2013.01)
출원번호/일자 1019980006293 (1998.02.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0291202-0000 (2001.03.08)
공개번호/일자 10-1999-0071072 (1999.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.02.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시 유성구
2 이화성 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.02.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0019969-69
2 특허출원서
Patent Application
1998.02.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0019968-13
3 출원심사청구서
Request for Examination
1998.02.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0019970-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0065828-72
11 의견서
Written Opinion
2000.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5156028-67
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.05.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5156029-13
13 등록사정서
Decision to grant
2000.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0344392-89
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 기판 상에 소스/드레인과 폴리실리콘 위에 600℃의 온도에서 코발트를 증착하여 금속과 실리콘인 화합물인 CoSi를 형성하는 단게와, 형성된 박막을 800℃의 온도로 열처리하여 낮은 접촉저항과 비저항을 갖는 CoSi2를 형성하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 화학기상증착법에 의한 코발트실리사이드 콘택 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.