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단일 이온 전도체를 전자 혹은 정공 주입층으로 이용하는유기/고분자 전기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015111712
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약 본 발명은 단일 이온 전도체를 전자 또는 정공 주입층에 이용하는 유기/고분자 전기 발광 소자에 관한 것이다. 종래의 발광 고분자는 정공 및 전자의 주입이 균형적이지 않고 효율적이지 않아서 발광 세기와 효율이 낮기 때문에 이를 보안하기 위해서 단일 이온 전도체를 정공 혹은 전자 주입층으로 사용하여 전자 및 정공의 균형된 주입을 유도함으로써 발광세기와 효율을 높이도록 하는데 목적이 있다. 본 발명에 사용된 물질은 단일 이온 전도체로서 단일이온이 전기장하에서 전극쪽으로 이동하여 정공 및 전하의 주입을 유도하게 된다. 본 발명에 새로운 전자 및 정공 주입층으로 사용되는 단일 이온 전도체는 단일 양이온 전도체와 단일 음이온 전도체로 나누어 지며 이 물질들은 고분자내에 상온에서 유연성을 가지는 폴리에틸렌 옥사이드와 폴리 프로필렌 옥사이드와 같은 에테르(Ether) 사슬을 함유하고 있고 SO3-, COO-, NH3+와 같은 이온기가 주사슬에 달려 있으며 대이온으로 Na+, Li+, Zn2+,Mg2+, Eu3+, COO-이 결합되어 있는 물질이다. 이 물질은 에테르 사슬을 함유하고 있어야 한다는 점과 함유된 이온의 함량에는 제한이 없다는 점에서 이오노머와 다르다. 이 물질을 이용하여 전자 및 정공 주입층으로 사용하였을 때 소자의 발광을 위한 켜짐 전압은 1.8 V이며 발광효율이 단일막인 경우뿐만 아니라 이오노머를 전자 및 정공 주입층으로 사용했을 경우보다 발광 효율은 단일막에 비해서 약 600배 정도 향상이 되어 이오노머를 사용하는 이중 구조소자에 비해서도 6배이상 증대하였다. 소자의 구성은 투명 기판(1)위에 코팅된 반투명 전극 (2)위에 정공 주입층(3)을 코팅하고 그 위에 발광층(4)을 코팅한 후 전자 주입층(5)을 입히고 그 위에 금속 전극(6)을 열증착을 통해 입혀서 완성한다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000016456 (2000.03.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0095429 (2001.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 부산광역시강서구
2 박오옥 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0062858-70
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2000-5161693-16
3 보정통지서
Request for Amendment		 2000.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2000-0022657-66
4 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2000.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2000-0130694-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판(1) 위에 양의 전극(2)과, 유기 전기 발광층(4)과, 전자 주입 단일 음이온 전도체층(5)과, 음의 전극(6)을 순차적으로 형성시켜 구성된 다중구조의 소자인 것을 특징으로 하는 단일 음이온 전도체를 전자 주입층으로 이용하는 유기/고분자 전기 발광 소자
2 2

제1항에 있어서, 다음 구조식 1과 구조식 2가 동일한 구조로서 주사슬에 에테르 사슬(EO 또는 PO)을 함유하고 음이온(A- = SO3-, COO- 또는 I-)이 주사슬에 결합되어 있으며 A-의 대이온으로 양이온(C+ = Na+, Li+, Zn2+,Mg2+,Eu3+와 같은 금속 이온, (NH3)4+ 또는 (-CH2-)nO+와 같은 유기 이온)을 함유하는 것을 특징으로 하는 단일 음이온 전도체를 전자 주입층으로 이용하는 유기/고분자 전기 발광 소자

3 3

기판(1) 위에 양의 전극(2)과, 정공 주입 단일 양이온 전도체층(3)과, 유기 전기 발광층(4)과, 음의 전극(6)을 순차적으로 형성시켜 구성된 다중구조의 소자인 것을 특징으로 하는 구조에서 단일 양이온 전도체를 정공 주입층으로 이용하는 유기/고분자 전기 발광 소자


4 4

제 3항에 있어서, 다음의 구조식 3과 구조식 4가 동일한 구조로서 주사슬에 에테르 사슬(EO 또는 PO)을 함유하고 양이온(C+ = 주로 (NH3)4+ 또는 (-CH2-)nO+와 같은 유기 양이온)이 주사슬에 결합되어 있으며 C+의 대이온으로 음이온(A- = SO3-, COO- 또는 I-)을 함유하는 것을 특징으로 하는 단일 양이온 전도체를 정공 주입층으로 이용하는 유기/고분자 전기 발광 소자


<구조식 3> <구조식 4>

5

기판(1) 위에 양의 전극(2)과, 정공 주입층(3)과, 유기 전기 발광층(4), 전자 주입단일 이온 전도체층(5)과, 음의 전극(6)을 순차적으로 코팅시켜 구성된 전기 발광 소자에 있어서, 단일 양이온 전도체를 정공 주입층과 단일 음이온 전도체를 전자 주입층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 다중구조의 유기 고분자 전기 발광소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03898952 JP 일본 FAMILY
2 JP15530676 JP 일본 FAMILY
3 KR1020020034981 KR 대한민국 FAMILY
4 US07118810 US 미국 FAMILY
5 US20020037432 US 미국 FAMILY
6 WO2001078464 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE10191386 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE10191386 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 DE10191386 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 JP2003530676 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2003530676 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2003530676 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP3898952 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 KR20020034981 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
9 KR20020034981 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
10 US2002037432 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US7118810 US 미국 DOCDBFAMILY
12 WO0178464 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
13 WO0178464 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.