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발열장치 제조방법 및 열분사방식 잉크젯 프린트헤드제조방법

  • 기술번호 : KST2015111732
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 선택적 다공질화 반응을 이용하여 형성한 단결정 실리콘 섬(island)을 그 발열저항으로 사용하는 발열장치 제조방법 및 열분사방식 잉크젯 프린트헤드 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 발열장치 제조방법은, 불순물이 도핑된 단결정 실리콘 기판의 앞면에 상기 기판보다 더 높은 불순물 도핑농도를 가지는 불순물 영역을 이온주입법으로 형성하는 단계; 상기 불순물 영역 상에 상기 불순물 영역보다 더 낮은 불순물 도핑농도를 가지는 단결정 실리콘막 패턴을 형성하는 단계; 상기 불순물 영역만을 선택적으로 다공질화하여 다공질 실리콘 영역을 형성하는 단계; 상기 다공질화 영역을 둘러싸는 열산화막을 형성하는 단계; 및 상기 단결정 실리콘막 패턴과 전기적으로 연결되는 발열 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 산화속도가 빠른 다공질 실리콘 영역을 산화시켜 발열저항과 기판을 단열시키기 때문에 그 제조속도가 빠르다. 특히, 불순물 농도의 정확한 조절이 가능한 이온주입법 및 에피텍셜 성장법을 이용함으로써 다공질화 반응의 선택성을 높이기 때문에, 균일한 저항값을 가지는 발열저항을 제조할 수 있다. 프린트헤드, 잉크젯, 단결정 실리콘, 이온주입, 다공질화
Int. CL B41J 2/05 (2006.01)
CPC B41J 2/05(2013.01) B41J 2/05(2013.01) B41J 2/05(2013.01) B41J 2/05(2013.01) B41J 2/05(2013.01) B41J 2/05(2013.01) B41J 2/05(2013.01) B41J 2/05(2013.01)
출원번호/일자 1020000004974 (2000.02.01)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0368929-0000 (2003.01.08)
공개번호/일자 10-2001-0077293 (2001.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (20030124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.02.01)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이춘섭 대한민국 대구광역시동구
2 이재덕 대한민국 경기도수원시팔달구
3 한철희 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2000-0019437-64
2 직권정정통지서
Notice of Ex officio Correction		 2000.02.28 수리 (Accepted) 1-5-2000-0007699-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.03.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.04.23 수리 (Accepted) 9-1-2002-0000256-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0175554-38
6 의견서
Written Opinion		 2002.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2002-0180220-76
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.06.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0180221-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0000637-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

불순물이 도핑된 단결정 실리콘 기판의 앞면에 상기 기판보다 더 높은 불순물 도핑농도를 가지는 불순물 영역을 이온주입법으로 형성하는 단계;

상기 불순물 영역 상에 상기 불순물 영역보다 더 낮은 불순물 도핑농도를 가지는 단결정 실리콘막 패턴을 형성하는 단계;

상기 불순물 영역만을 선택적으로 다공질화하여 다공질 실리콘 영역을 형성하는 단계;

상기 결과물 전 표면 및 상기 다공질 실리콘 영역이 산화되도록 열산화 공정을 수행하여 열산화막을 형성하는 단계; 및

상기 단결정 실리콘막 패턴과 전기적으로 연결되는 발열 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

2 2

제1 항에 있어서, 상기 다공질 실리콘 영역을 형성하는 단계가,

상기 단결정 실리콘막 패턴이 형성된 기판의 뒷면에 제1 전극을 형성하는 단계;

제2 전극이 이미 담겨져 있는 전해질 용액에 상기 제1 전극이 형성된 결과물을 담그는 단계; 및

상기 제1 전극 및 제2 전극이 각각 양극 및 음극이 되도록 상기 제1 전극과 제2 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

3 3

제2 항에 있어서, 상기 전해질 용액이 HF 및 C2H5OH를 함유하는 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

4 4

제1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 단결정 실리콘막 패턴의 불순물 도핑농도는 각각 1×1016/cm3 내지 1×1017/cm3 이고, 상기 불순물 영역의 불순물 도핑농도는 1×1018/cm3 내지 5×1020/cm3인 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

5 5

가운데 및 그의 인접부위가 각각 주잉크공급부 및 발열부로 한정되는 불순물이 도핑된 단결정 실리콘 기판의 상기 발열부 표면에 상기 기판보다 더 높은 불순물 도핑농도를 가지는 불순물 영역을 이온주입법으로 형성하는 단계;

상기 불순물 영역 상에 상기 불순물 영역보다 더 낮은 불순물 도핑농도를 가지는 단결정 실리콘막 패턴을 형성하는 단계;

상기 불순물 영역만을 선택적으로 다공질화하여 다공질 실리콘 영역을 형성하는 단계;

상기 결과물 전 표면 및 상기 다공질 실리콘 영역이 산화되도록 열산화 공정을 수행하여 열산화막을 형성하는 단계;

상기 단결정 실리콘막 패턴의 소정 영역 및 상기 주잉크공급부의 기판 표면이 노출되도록 상기 열산화막을 패터닝하여 열산화막 패턴을 형성하는 단계;

상기 노출된 단결정 실리콘막 패턴과 전기적으로 연결되는 발열 전극과, 상기 노출된 주잉크공급부의 기판 표면을 덮는 전기도금용 전극을 형성하는 단계;

상기 발열전극을 덮는 절연막 패턴을 형성하는 단계;

상기 절연막 패턴이 형성된 결과물 전면에 도금 씨앗층을 형성하는 단계;

상기 도금 씨앗층 상에 주잉크공급부에 위치하는 도금 씨앗층을 노출시키는 개구부를 가지는 감광막 패턴을 형성하는 단계;

상기 감광막 패턴의 개구부를 채우면서 상기 결과물 전면을 덮되 상기 발열부 상에 위치하는 감광막 패턴의 소정 영역은 노출시키는 도금층 패턴을 형성하는 단계;

상기 주잉크공급부에 위치하는 기판 및 전기도금용 전극을 제거하는 단계; 및

상기 도금 씨앗층 및 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열분사방식 잉크젯 프린트헤드 제조방법

6 6

제5 항에 있어서, 상기 주잉크공급부에 위치하는 기판 및 전기도금용 전극을 제거하는 단계가,

상기 도금층 패턴이 형성된 결과물을 전해질 용액에 담그는 단계; 및

상기 도금층 패턴을 그 전극으로 하는 전기화학적 식각방법을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열분사방식 잉크젯 프린트헤드 제조방법

7 7

불순물이 도핑된 단결정 실리콘 기판의 앞면에 상기 기판 표면부를 고립시키면서 상기 기판보다 더 높은 불순물 도핑농도를 가지는 불순물 영역을 이온주입법으로 형성하는 단계;

상기 불순물 영역만을 선택적으로 다공질화하여 다공질 실리콘 영역을 형성하는 단계;

상기 결과물 전 표면 및 상기 다공질 실리콘 영역이 산화되도록 열산화 공정을 수행하여 열산화막을 형성하는 단계; 및

상기 고립된 기판 표면부와 전기적으로 연결되는 발열 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

8 8

제7 항에 있어서, 상기 불순물 영역을 형성하는 단계가,

상기 기판의 앞면에 서로 소정간격 이격된 한 쌍의 제1 불순물 영역을 형성하는 단계; 및

상기 한 쌍의 제1 불순물 영역 사이에 위치하는 기판 표면부가 고립되도록 상기 기판 표면으로부터의 소정 깊이에 상기 제1 불순물 영역과 연결되는 제2 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

9 9

제7 항에 있어서, 상기 다공질 실리콘 영역을 형성하는 단계가,

상기 불순물 영역이 형성된 기판의 뒷면에 제1 전극을 형성하는 단계;

제2 전극이 이미 담겨져 있는 전해질 용액에 상기 제1 전극이 형성된 결과물을 담그는 단계; 및

상기 제1 전극 및 제2 전극이 각각 양극 및 음극이 되도록 상기 제1 전극과 제2 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

10 10

제9 항에 있어서, 상기 전해질 용액이 HF 및 C2H5OH를 함유하는 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

11 11

제7 항에 있어서, 상기 기판의 불순물 도핑농도는 1×1016/cm3 내지 1×1017/cm3 이고, 상기 불순물 영역의 불순물 도핑농도는 각각 1×1018cm3 내지 5×1020/cm3인 것을 특징으로 하는 발열장치 제조방법

12 12

가운데 및 그의 인접부위가 각각 주잉크공급부 및 발열부로 한정되는 불순물이 도핑된 단결정 실리콘 기판의 상기 발열부 표면에 상기 기판 표면부를 고립시키면서 상기 기판보다 더 높은 불순물 도핑농도를 가지는 불순물 영역을 이온주입법으로 형성하는 단계;

상기 불순물 영역만을 선택적으로 다공질화하여 다공질 실리콘 영역을 형성하는 단계;

상기 결과물 전 표면 및 상기 다공질 실리콘 영역이 산화되도록 열산화 공정을 수행하여 열산화막을 형성하는 단계;

상기 고립된 기판 표면의 소정 영역 및 상기 주잉크공급부의 기판 표면이 노출되도록 상기 열산화막을 패터닝하여 열산화막 패턴을 형성하는 단계;

상기 노출된 고립된 기판 표면과 전기적으로 연결되는 발열 전극과, 상기 노출된 주잉크공급부의 기판 표면을 덮는 전기도금용 전극을 형성하는 단계;

상기 발열전극을 덮는 절연막 패턴을 형성하는 단계;

상기 절연막 패턴이 형성된 결과물 전면에 도금 씨앗층을 형성하는 단계;

상기 도금 씨앗층 상에 상기 주잉크공급부에 위치하는 도금 씨앗층을 노출시키는 개구부를 가지는 감광막 패턴을 형성하는 단계;

상기 감광막 패턴의 개구부를 채우면서 상기 결과물 전면을 덮되 상기 발열부 상에 위치하는 감광막 패턴의 소정 영역은 노출시키는 도금층 패턴을 형성하는 단계;

상기 주잉크공급부에 위치하는 기판 및 전기도금용 전극을 제거하는 단계; 및

상기 도금 씨앗층 및 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열분사방식 잉크젯 프린트헤드 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.