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완전히 공액화된 적색 발광 고분자, 그 제조방법 및발광층에 그 고분자를 포함하는 전기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015111752
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1과 같은 다이싸이에노싸이오펜 골격을 포함한 공액화된 신규한 적색 발광 고분자, 그 제조방법 및 발광층에 그 고분자를 포함하는 발광소자에 관한 것이다. 화학식 1로 표현되는 본 발명의 공액화된 적색 발광 고분자는 좁은 밴드갭을 갖는 다이싸이에노싸이오펜 디알데히드 유도체를 알킬 등의 사슬을 갖는 아릴렌 디포스포늄염 또는 디포스포네이트 화합물과 반응시켜 얻을 수 있다. 본 발명의 적색 발광 고분자는 유기용매에 용해 가능하며, 완전히 공액화되어 있어 전기 발광 소자에서 낮은 구동전압을 가지며, 좁은 밴드갭을 가지고 있어 전기 발광 소자에서 저에너지 영역대인 적색영역, 특히, 순수한 적색영역에서 발광된다. 또한, 본 발명의 적색 발광 고분자를 이용하여 발광소자의 발광층을 형성함으로써 낮은 구동전압에서 적색발광을 할 수 있는 전기 발광소자를 얻을 수 있다. .화학식 1여기에서, Ar은 아릴렌기이다. R 및 R'는 수소 등의 치환기이다.적색 발광 고분자, 다이싸이에노 싸이오펜, 공액화, 전기 발광소자, 발광층, 아릴렌, 알데히드, 포스포늄 염, 포스포네이트
Int. CL C09K 11/84 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020000020719 (2000.04.19)
출원인 일진디스플레이(주), 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0362510-0000 (2002.11.13)
공개번호/일자 10-2001-0097003 (2001.11.08) 문서열기
공고번호/일자 (20021127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.04.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 일진디스플레이(주) 대한민국 충청북도 음성군
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심홍구 대한민국 대전광역시유성구
2 정병준 대한민국 부산광역시동구
3 변기남 대한민국 서울특별시서대문구
4 우한영 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
2 일진다이아몬드(주) 대한민국 충북 음성군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2000-0077711-18
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2000.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2000-5112049-06
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0110094-81
4 의견서
Written Opinion		 2002.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0158338-93
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.05.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0158336-02
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0337501-85
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2003-5001031-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002674-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.27 수리 (Accepted) 4-1-2005-0003530-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2008-5140406-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100752-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화학식 1로 표시되는, 적색 발광 고분자

2 2

제1항에 있어서,

Ar은 3

제1항에 있어서,

Ar은 4

삭제
5 5

삭제
6 6

삭제
7 7

삭제
8 8

삭제
9 9

삭제
10 10

삭제
11 11

삭제
12 12

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 발광 고분자로 형성되는 고분자 발광층을 포함하는

전기 발광 소자

13 13

제12항에 있어서,

기판 상부에 반투명 전극, 상기 고분자 발광층, 금속 전극이 순차적으로 형성된 단일층 전기 발광 소자

14 14

제12항에 있어서,

기판 상부에 반투명 전극, 정공 수송층, 상기 고분자 발광층, 전자 수송층 및 금속 전극이 순차적으로 형성된 다층 박막 전기 발광 소자

15 15

제12항에 있어서, 상기 고분자 발광층은 상기 고분자와 전자 또는 전공 수송 고분자를 블랜딩하여 형성되는

전기 발광 소자

16 16

제15항에 있어서,

상기 수송 고분자는 PVK(polyvinylcarbazole)인

전기 발광 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.