대면적 기판 상에 대규모의 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 공정장치에 있어서,

20∼300㎒ 범위의 주파수를 갖는 초단파 전력을 발생시키는 초단파 전원과;

상기 초단파 전원으로부터 그 각각이 고주파 전원을 공급받되, 자신들끼리 서로 병렬 접속되어 있는 적어도 둘 이상의 안테나들과;

상기 안테나들에 의해 생성된 유도 결합 플라즈마를 둘러싸며, 상기 기판에 대한 반응공간을 제공하는 진공챔버를 구비하는 플라즈마 공정장치

제1항에 있어서, 상기 안테나들의 적어도 하나에 가변부하가 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정장치

제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 안테나가, 안테나 등가회로에서 최외측에 배치된 안테나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정장치

제3항에 있어서, 상기 가변부하가 가변 커패시터인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정장치

제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 안테나들의 각각과 상기 초단파 전원과의 사이에 임피던스 정합을 위한 임피던스 정합회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정장치

제5항에 있어서, 상기 병렬 접속된 안테나들 사이에 공진상태가 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정장치

제6항에 있어서, 상기 기판을 안착시키도록 상기 진공챔버 내에 설치되는 척을 더 구비하되, 상기 척에 20∼300㎒ 범위의 주파수를 갖는 초단파 전력을 발생시키는 또 다른 초단파 전원이 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정장치