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파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

  • 기술번호 : KST2015111860
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치는, 상부 반사경층, 하부 반사경층, 능동매질층, 레이저가 발진하는 중앙부분으로만 전류를 흐르게 하는 전류 제한층, 그리고 전류공급을 위한 p형 및 n형 전극을 구비하며, 상기 상부반사경층과 상기 능동매질층 사이의 거리는 정전압방식에 의하여 조절되고, 상기 하부반사경은 곡면을 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 30nm 이상의 파장 가변성과 단일 횡모드를 동시에 얻어낼 수 있다. 따라서, 단거리 광통신 및 다파장 전달방식의 대용량 정보처리 통신에서 능동소자로 사용하기에 적합하게 된다. 수직공진 표면광 레이저, 파장가변 레이저, 단일 횡모드, 곡면 반사경
Int. CL H01S 3/08 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010011652 (2001.03.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0413912-0000 (2003.12.22)
공개번호/일자 10-2002-0071558 (2002.09.13) 문서열기
공고번호/일자 (20040107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.03.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이용희 대한민국 대전광역시서구
2 김규상 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2001-0049385-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2002.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2002.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2002-0032525-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0075377-75
5 의견서
Written Opinion
2003.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0137345-11
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.04.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0137360-96
7 등록결정서
Decision to grant
2003.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0425828-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

서로 대향하도록 위치하여 반사에 따른 광궤환을 일으키는 상부 반사경층 및 하부 반사경층과;

상기 상부 반사경층 및 하부 반사경층의 사이에 설치되며, 외부로부터 펌핑에너지를 받아 자신을 통과하는 광을 레이저 광으로 발진시키는 능동매질층과;

상기 레이저 광이 발진하는 중앙부분으로만 전류를 흐르게 하는 전류 제한층과;

상기 능동매질층에 펌핑에너지를 주기 위한 전류를 공급하는 p형 및 n형 전극을 구비하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치에 있어서,

상기 상부반사경층과 상기 능동매질층 사이의 거리는 정전압방식에 의하여 조절되고, 상기 하부반사경은 곡면을 갖는 것을 특징으로 하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

2 2

제1 항에 있어서, 상기 하부반사경이 오목경인 것을 특징으로 하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

3 3

제1 항에 있어서, 상기 하부반사경이, 표면에 유전막이 형성된 고분자물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

4 4

제1 항에 있어서, 상기 하부반사경이, 브롬산 화합물을 사용한 습식식각으로 형성된 곡면체 위에 형성된 유전막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

5 5

앞뒤를 관통하는 관통구멍이 가운데 부분에 형성된 기판과;

상기 기판의 뒤면에 형성되는 하부전극과;

상기 기판의 앞면에 형성되는 능동매질층과;

상기 능동매질층의 상부공간에 형성되는 상부반사경과;

상기 기판 가운데 부분의 능동매질층 상에 형성되고, 또한 상기 상부반사경이 지지되도록 상기 기판 가장자리의 능동매질층 상에 기둥형태로 형성되는 상부공간 희생층과;

상기 기판 가운데 부분의 상부공간 희생층에 층형태로 개재되어 형성되며 가운데에는 구경이 형성되는 전류제한층과;

상기 기판 가운데 부분에 위치하는 상부공간 희생층의 가장자리에 형성되는 제1 상부전극과;

상기 상부반사경의 가장자리에 형성되는 제2 상부전극과;

상기 기판의 관통구멍 내에 형성되며, 표면에 유전막이 형성된 곡면구조체로 이루어지고 그 표면은 곡률을 갖는 하부 곡면반사경을 구비하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

6 6

제5 항에 있어서, 상기 곡면구조체가 고분자물질인 에폭시 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

7 7

제5 항에 있어서, 상기 곡면구조체가 상기 기판을 브롬산 화합물로 습식식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

8 8

제5 항에 있어서, 상기 전류제한층이 측면산화법에 의하여 형성되는 산화막층인 것을 특징으로 하는 파장가변형 수직공진 표면광 레이저 장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.