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아민 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 질화물 박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015111915
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아민 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 화학증착에 의해 낮은 온도에서 질화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판으로 부도체인 고가의 사파이어 대신 값싼 반도체 물질인 규소를 사용하여, 낮은 온도에서 화학증착을 수행하므로, 질화물 박막을 경제적으로 제조할 수 있고, 부도체 기판을 사용하여 발생하는 후속 전극의 제조공정상의 문제점을 해결할 수 있으므로, 신소재의 개발이나 다층 박막의 제조에 널리 활용될 수 있을 것이다.아민 부가 단량체, 질화물 박막
Int. CL C23C 16/34 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020017001673 (2001.02.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0374327-0000 (2003.02.18)
공개번호/일자 10-2001-0106435 (2001.11.29) 문서열기
공고번호/일자 (20030303) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2001/000107 (2001.01.22)
국제공개번호/일자 WO2001053565 (2001.07.26)
우선권정보 대한민국  |   1020000002958   |   2000.01.21
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.02.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준택 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제201조 및 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Articles 201 and 203 of Patent Act		 2001.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2001-0026661-84
2 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2001.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-5285706-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2002-0028172-04
5 등록결정서
Decision to grant		 2002.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0416900-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

(i) 기판에 아민 부가 단량체 단일선구물질(I)을 위치시키고, 0

2 2

제 1항에 있어서,

기판은 규소, 사파이어 또는 SiC인 것을 특징으로 하는

아민 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 질화물 박막의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서,

완충층은 GaN 또는 AlN을 포함하는 것을 특징으로 하는

아민 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 질화물 박막의 제조방법

4 4

제 1항에 있어서,

박막은 AlN, GaN, InN, AlGaN, GaInN, AlInN 및 AlGaInN의 혼합물을

포함하는 것을 특징으로 하는

아민 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 질화물 박막의 제조방법

5 5

제 1항의 방법으로 제조되어, 규소기판에 화학증착되는 것을 특징으로 하는 질화물 박막

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03836724 JP 일본 FAMILY
2 JP15520298 JP 일본 FAMILY
3 KR1020010075977 KR 대한민국 FAMILY
4 US20020085973 US 미국 FAMILY
5 WO2001053565 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE10190311 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE10190311 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 JP2003520298 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2003520298 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2003520298 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP3836724 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 KR20010075977 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
8 US2002085973 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO0153565 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
10 WO0153565 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.