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반도체 소자를 위한 패키지

  • 기술번호 : KST2015112003
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저렴한 비용으로 용이하게 반도체 소자들을 패키징할 수 있는 반도체 소자를 위한 패키지가 개시된다. 상기 패키지 내에는 신호 전송 라인이 형성된 절연 기판 상에 장착되는 저 잡음 증폭기부, SAW 필터부 및 주파수 합성기부 등으로 구성된 반도체 소자들, 상기 반도체 소자들을 몰딩하여 외부와 전기적으로 절연시키는 몰딩 부재 및 그리고 상기 반도체 소자 중 SAW 필터부 아래에 에어 캐비티를 확보하는 차단 부재가 형성된다. 고주파 송수신 모듈을 구성하는 복수 개의 반도체 소자들을 하나의 칩 형태로 패키징하여 공정을 간략화할 수 있는 동시에 제조 원가를 크게 절감할 수 있다. 또한, 차단 부재가 합성 수지 몰드에 대한 장벽의 역할을 하여 반도체 소자의 플립 칩 본딩 시에 에폭시 수지와 같은 몰딩 부재가 소자 영역으로 침투하지 못하게 하여 소자들을 위한 에어 캐비티를 용이하게 확보할 수 있다. 패키지, 에어 캐비티, 차단, SAW 필터, 저 잡음 증폭기, 주파수 합성기,
Int. CL H01L 23/02 (2006.01)
CPC H01L 23/31(2013.01) H01L 23/31(2013.01)
출원번호/일자 1020020024871 (2002.05.06)
출원인 에이치엔에스하이텍 (주), 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0086744 (2003.11.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에이치엔에스하이텍 (주) 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영세 대한민국 대전광역시유성구
2 하만륜 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-0138471-99
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2002.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2002-5114076-44
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-5173644-95
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0064143-18
5 대리인 사임 신고서
Notification of resignation of agent		 2003.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0146167-91
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5068572-65
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.09.11 수리 (Accepted) 4-1-2009-5176700-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5048459-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2013-0020137-04
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5069755-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 소자를 위한 패키지에 있어서,

절연성 기판;

상기 절연성 기판 상에 형성된 신호 전송선;

상기 신호 전송선과 전기적으로 연결된 반도체 소자;

상기 반도체 소자를 외부로부터 전기적으로 차단하는 몰딩 수단; 및

상기 몰딩 수단과 상기 반도체 소자의 접촉을 차단하여 상기 몰딩 수단 내에 에어 캐비티를 제공하는 차단 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 몰딩 수단은 에폭시 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스터 수지 및 우레탄 수지로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 에어 캐비티는 상기 반도체 소자와 상기 기판 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 차단 수단은 상기 절연 기판 상에 형성된 도전성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 차단 수단은 금, 니켈 및 구리로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나 이상의 금속선인 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 절연성 기판은 상부에 10㎛ 이상의 두께를 갖는 절연막이 형성된 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 절연성 기판은 상부에 산화된 다공성 실리콘 막이 형성된 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 산화된 다공성 실리콘 막 상에는 절연막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 전송선과 반도체 소자는 플립 칩 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 위한 패키지

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.