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깊은 엔 웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 정션트랜지스터를 사용한 직접 변환 수신기
- 기술번호 : KST2015112018
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 DC 오프셋, I/Q회로간 정합 특성, 및 잡음 특성이 개선된 수신 감도가 우수한 직접 변환 수신기에 관한 것이다. 이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 표준 3중웰 CMOS 공정에서 구현된 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터를 믹서의 스위칭 소자 및 기저 대역 아날로그 회로에 사용하여, 직접 변환 수신기를 구현한다. 나아가, 본 발명의 다른 실시예에서는 수동 믹서를 사용함으로써, 1/f 잡음의 발생을 억제하고, 기저 대역 아날로그 회로에는 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터를 사용함으로써, DC 오프셋, I/Q 회로간 정합 특성, 및 잡음 특성이 개선된 직접 변환 수신기를 구현한다.직접 변환 수신기, 수직형 바이폴라 정션 트랜지스터, 3중웰 CMOS 공정, 믹서, 스위칭 소자 |
|---|---|
| Int. CL | H04B 1/26 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020020040821 (2002.07.12) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0446004-0000 (2004.08.17) |
| 공개번호/일자 | 10-2004-0006521 (2004.01.24) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20040825) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2002.07.12) |
| 심사청구항수 | 32 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이귀로 | 대한민국 | 대전광역시유성구 |
| 2 | 남일구 | 대한민국 | 서울특별시양천구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박경완 | 대한민국 | 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고) |
| 2 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2002.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2002-0223183-16 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2004.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0001933-29 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2004.03.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0012166-74 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2004.06.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2004-0249029-17 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 수신 신호의 특정 대역을 여과시키는 밴드 패스 필터, 상기의 밴드 패스 필터를 통과한 신호를 증폭시키는 저잡음 증폭기, 상기 저잡음 증폭기에서 출력된 신호를 국부 발진 신호와 혼합하여 스칼라 기저 대역 신호를 출력하는 능동 믹서, 및 상기 능동 믹서에서 출력된 기저 대역 신호를 여과, 증폭시키는 기저 대역 아날로그 회로를 포함하고, 상기 능동 믹서는 깊은 n웰을 가지는 3중웰 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 스위칭 소자를 포함하는 직접 변환 수신기 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 직접 변환 수신기 |
| 4 |
4 제1항에 있어서, 상기 기저 대역 아날로그 회로는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 5 |
5 제1항에 있어서, 상기 기저 대역 아날로그 회로는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 직접 변환 수신기 |
| 6 |
6 수신 신호의 특정 대역을 여과시키는 밴드 패스 필터, 상기의 밴드 패스 필터를 통과한 신호를 증폭시키는 저잡음 증폭기, 국부 발진 신호를 인가 받아 동 위상 국부 발진 신호 및 직교 위상 국부 발 상기 저잡음 증폭기에서 출력된 신호를 상기 위상 변환 소자에서 출력된 동 위상 국부 발진 신호 및 직교 위상 국부 발진 신호와 혼합하여 각각 동 위상 기저 대역 벡터 신호 및 직교 위상 기저 대역 벡터 신호를 출력하는 제1 및 제2 능동 믹서, 및 상기 제1 및 제2 능동 믹서에서 출력된 기저 대역 신호를 여과, 증폭시키는 기저 대역 아날로그 회로를 포함하고, 상기 제1 및 제2 능동 믹서는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 스위칭 소자를 포함하는 직접 변환 수신기 |
| 7 |
7 제6항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 8 |
8 제6항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 |
| 9 |
9 제6항에 있어서, 상기 기저 대역 아날로그 회로는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 10 |
10 제6항에 있어서, 상기 기저 대역 아날로그 회로는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 직접 변환 수신기 |
| 11 |
11 수신 신호의 특정 대역을 여과시키는 밴드 패스 필터, 상기의 밴드 패스 필터를 통과한 신호를 증폭시키는 저잡음 증폭기, 상기 저잡음 증폭기에서 출력된 신호를 제1 국부 발진 신호와 혼합하여 중간 주파수 신호를 출력하는 제1 능동 믹서, 상기 제1 능동 믹서에서 출력된 중간 주파수 신호를 제2 국부 발진 신호와 혼합하여 기저 대역 스칼라 신호를 출력하는 제2 능동 믹서, 및 상기 제2 능동 믹서에서 출력된 기저 대역 신호를 여과, 증폭시키는 기저 대역 아날로그 회로를 포함하고, 상기 제2 능동 믹서는 깊은 n웰을 가지는 3중웰 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 스위칭 소자를 포함하는 직접 변환 수신기 |
| 12 |
12 제11항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 13 |
13 제11항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 |
| 14 |
14 제11항에 있어서, 상기 기저 대역 아날로그 회로는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 15 |
15 제11항에 있어서, 상기 기저 대역 아날로그 회로는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 직접 변환 수신기 |
| 16 |
16 수신 신호의 특정 대역을 여과시키는 밴드 패스 필터, 상기의 밴드 패스 필터를 통과한 신호를 증폭시키는 저잡음 증폭기, 상기 저잡음 증폭기에서 출력된 신호를 제1 국부 발진 신호와 혼합하여 중간 주파수 신호를 출력하는 제1 능동 믹서, 제2 국부 발진 신호를 인가 받아 동 위상 국부 발진 신호 및 직교 위상 국부 발진 신호를 출력하는 위상 변환 소자, 상기 제1 능동 믹서에서 출력된 중간 주파수 신호를 상기 위상 변환 소자에 상기 제2 및 제3 능동 믹서에서 출력된 기저 대역 신호를 여과, 증폭시키는 기저 대역 아날로그 회로를 포함하고, 상기 제2 및 제3 능동 믹서는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 스위칭 소자를 포함하는 직접 변환 수신기 |
| 17 |
17 제16항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 18 |
18 제16항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 |
| 19 |
19 제16항에 있어서, 상기 기저 대역 아날로그 회로는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 20 |
20 제16항에 있어서, 상기 기저 대역 아날로그 회로는 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현된 직접 변환 수신기 |
| 21 |
21 수신 신호의 특정 대역을 여과시키는 밴드 패스 필터, 상기의 밴드 패스 필터를 통과한 신호를 증폭시키는 저잡음 증폭기, 상기 저잡음 증폭기에서 출력된 무선 주파수 신호를 기저 대역 스칼라 신호로 변환시키는 수동 믹서, 및 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 를 포함하는 직접 변환 수신기 |
| 22 |
22 제21항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 23 |
23 제21항에 있어서, 상기 수동 믹서는 CMOS 공정에서 구현된 직접 변환 수신기 |
| 24 |
24 수신 신호의 특정 대역을 여과시키는 밴드 패스 필터, 상기의 밴드 패스 필터를 통과한 신호를 증폭시키는 저잡음 증폭기, 국부 발진 신호를 인가 받아 동 위상 국부 발진 신호 및 직교 위상 국부 발진 신호를 출력하는 위상 변환 소자, 상기 저잡음 증폭기에서 출력된 무선 주파수 신호를 상기 위상 변환 소자에서 출력된 동 위상 국부 발진 신호 및 직교 위상 국부 발진 신호와 혼합하여 각각 동 위상 기저 대역 벡터 신호 및 직교 위상 기저 대역 벡터 신호를 출력하는 제1 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현되며, 상기 제1 및 제2 수동 믹서에서 출력된 기저 대역 신호를 여과, 증폭시키는 기저 대역 아날로그 회로 를 포함하는 직접 변환 수신기 |
| 25 |
25 제24항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 26 |
26 제24항에 있어서, 상기 제1 및 제2 수동 믹서는 CMOS 공정에서 구현된 직접 변환 수신기 |
| 27 |
27 수신 신호의 특정 대역을 여과시키는 밴드 패스 필터, 상기의 밴드 패스 필터를 통과한 신호를 증폭시키는 저잡음 증폭기, 상기 저잡음 증폭기에서 출력된 무선 주파수 신호를 제1 국부 발진 신호와 혼합하여 중간 주파수 신호를 출력하는 제1 능동 믹서, 상기 제1 능동 믹서에서 출력된 중간 주파수 신호를 제2 국부 발진 신호와 혼합하여 기저 대역 스칼라 신호를 출력하는 제2 수동 믹서, 및 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현되며, 상기 제2 수동 믹서에서 출력된 기저 대역 신호를 여과, 증폭시키는 기저 대역 아날로그회로 를 포함하는 직접 변환 수신기 |
| 28 |
28 제27항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 29 |
29 제27항에 있어서, 상기 제2 수동 믹서는 CMOS 공정에서 구현된 직접 변환 수신기 |
| 30 |
30 수신 신호의 특정 대역을 여과시키는 밴드 패스 필터, 상기의 밴드 패스 필터를 통과한 신호를 증폭시키는 저잡음 증폭기, 상기 저잡음 증폭기에서 출력된 신호를 제1 국부 발진 신호와 혼합하여 중간 제2 국부 발진 신호를 인가 받아 동 위상 국부 발진 신호 및 직교 위상 국부 발진 신호를 출력하는 위상 변환 소자, 상기 제1 능동 믹서에서 출력된 중간 주파수 신호를 상기 위상 변환 소자에서 출력된 동 위상 국부 발진 신호 및 직교 위상 국부 발진 신호와 혼합하여 각각 동 위상 기저 대역 벡터 신호 및 직교 위상 기저 대역 벡터 신호를 출력하는 제2 및 제3 수동 믹서, 및 깊은 n웰을 가지는 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 상기 CMOS 공정의 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 상기 CMOS 공정의 p웰 및 p+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 상기 CMOS 공정의 깊은 n웰, n웰 및 n+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되는 수직형 BJT로 구현되며, 상기 제2 및 제3 믹서에서 출력된 기저 대역 신호를 여과, 증폭시키는 기저 대역 아날로그 회로 를 포함하는 직접 변환 수신기 |
| 31 |
31 제30항에 있어서, 상기 저잡음 증폭기는 CMOS 공정에서 구현된 MOS 트랜지스터를 이용한 직접 변환 수신기 |
| 32 |
32 제30항에 있어서, 상기 제2 및 제3 수동 믹서는 CMOS 공정에서 구현된 직접 변환 수신기 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP17533375 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | US07088168 | US | 미국 | FAMILY |
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| 4 | WO2004008650 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | AU2003250552 | AU | 오스트레일리아 | DOCDBFAMILY |
| 2 | AU2003250552 | AU | 오스트레일리아 | DOCDBFAMILY |
| 3 | CN100359812 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
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| 10 | WO2004008650 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0446004-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20020712 출원 번호 : 1020020040821 공고 연월일 : 20040825 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20040625 청구범위의 항수 : 32 유별 : H04B 1/26 발명의 명칭 : 깊은 엔 웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 정션트랜지스터를 사용한 직접 변환 수신기 존속기간(예정)만료일 : 20100818 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 904,500 원 | 2004년 08월 18일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 860,000 원 | 2007년 07월 31일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 787,000 원 | 2008년 07월 28일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 744,000 원 | 2009년 07월 28일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2002.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2002-0223183-16 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2004.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0001933-29 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2004.03.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0012166-74 |
| 4 | 등록결정서 | 2004.06.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2004-0249029-17 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
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중요키워드
| [KST2014046827][한국과학기술원] | 발룬 회로를 이용한 무선 통신 시스템의 신호 변환 장치 및 수신 장치 | 새창보기 |
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