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비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015112079
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비등방성 식각 특성을 이용하여 자기 정렬이 가능한 서브마이크론 에미터 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 서브마이크론 에미터 제조방법은, 반도체 기판 위에 베이스 영역과 에미터 영역이 순차적으로 형성된 이종접합쌍극트랜지스터 구조 위에 InGaAs층을 포함하는 더미 에미터를 적층하는 제 1 단계와; 상기 더미 에미터 위에 제 1 선폭(L1)을 포토레지스트를 사용하여 정의하는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계에서 정의된 부분의 상기 InGaAs층을 선택적으로 비등방성 식각하여 상기 에미터 영역과 접하는 바닥면이 상기 포토레지스트에 정의된 제 1 선폭(L1)보다 작은 제 2 선폭(L2)이 되도록 만드는 제 3 단계와; 상기 제 3 단계의 비등방성 식각홈에 접촉금속을 증착하고 상기 접촉금속 주위의 상기 더미 에미터를 식각하여 에미터 전극을 형성하는 제 4 단계와; 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 상기 에미터 영역을 비등방성 식각하여 상기 베이스 영역과 접하는 바닥면이 상기 제 1 선폭(L1)보다는 작고 제 2 선폭(L2)보다는 큰 제 3 선폭(L3)이 되도록 만드는 제 5 단계를 포함한다.서브마이크론, 에미터, 비등방성 식각, HBT
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1020030010017 (2003.02.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0457926-0000 (2004.11.10)
공개번호/일자 10-2004-0074401 (2004.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20041118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.02.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김문정 대한민국 경상북도상주시
2 전수근 대한민국 전라북도군산시
3 권영세 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0054847-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2004-0057828-95
6 등록결정서
Decision to grant		 2004.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0389277-73
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

서브마이크론 에미터를 제조하는 방법에 있어서,

반도체 기판 위에 베이스 영역과 에미터 영역이 순차적으로 형성된 이종접합쌍극트랜지스터 구조 위에 InGaAs층을 포함하는 더미 에미터를 적층하는 제 1 단계와;

상기 더미 에미터 위에 제 1 선폭(L1)을 포토레지스트를 사용하여 정의하는 제 2 단계와;

상기 제 2 단계에서 정의된 부분의 상기 InGaAs층을 선택적으로 비등방성 식각하여 상기 에미터 영역과 접하는 바닥면이 상기 포토레지스트에 정의된 제 1 선폭(L1)보다 작은 제 2 선폭(L2)이 되도록 만드는 제 3 단계와;

상기 제 3 단계의 비등방성 식각홈에 접촉금속을 증착하고 상기 접촉금속 주위의 상기 더미 에미터를 식각하여 에미터 전극을 형성하는 제 4 단계와;

상기 에미터 전극을 마스크로 하여 상기 에미터 영역을 비등방성 식각하여 상기 베이스 영역과 접하는 바닥면이 상기 제 1 선폭(L1)보다는 작고 제 2 선폭(L2)보다는 큰 제 3 선폭(L3)이 되도록 만드는 제 5 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계 결과물의 전면에 자기 정렬을 위한 접촉금속을 증착하는 제 6 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는,

상기 InGaAs층의 두께가 상기 에미터 영역의 두께보다 두껍도록 상기 InGaAs층을 적층하는 것을 특징으로 하는 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 제 1 단계는,

상기 InGaAs층 위에 InP층을 더 적층하는 것을 특징으로 하는 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 InP층의 두께는 1000Å 이하인 것을 특징으로 하는 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는,

상기 InGaAs층의 두께와 식각액의 종류 및 비등방성 식각에 의한 식각 경사각도(θ1)를 조절하여 상기 제 2 선폭(L2)이 서브마이크론 크기가 되도록 상기 InGaAs층을 식각하는 것을 특징으로 하는 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계는,

상기 제 3 단계 결과물의 전면에 접촉금속을 증착하고, 상기 포토레지스트 위에 증착된 접촉금속과 상기 포토레지스트를 리프트오프하고, 상기 비등방성 식각홈에 증착된 접촉금속 주위의 상기 더미 에미터를 식각하여 에미터 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 에미터 영역은 InP층이고, 상기 에미터 전극은 상기 에미터 영역인 InP층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마이크론 에미터 제조방법

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계는,

상기 에미터 영역의 두께와 식각액의 종류 및 비등방성 식각에 의한 식각 경사각도(θ2)를 조절하여 상기 제 3 선폭(L3)이 상기 제 1 선폭(L1)보다는 작고 제 2 선폭(L2)보다는 큰 서브마이크론 크기가 되도록 상기 에미터 영역을 식각하는 것을 특징으로 하는 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.