맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전압제어 자화반전 기록방식의 ＭＲＡＭ 소자 및 이를이용한 정보의 기록 및 판독 방법

  • 기술번호 : KST2015112323
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM(Magnetic Random Access Memory) 소자 및 이를 이용한 정보의 기록 및 판독 방법에 관한 것으로, 양(+)과 음(-)으로 이루어지는 두 개의 기저전극을 이용하여 PZT 박막에 보다 원할하게 전압이 인가되도록 형성하고 두 개의 판독선에 의하여 판독이 이루어지도록 함으로써 기록과 판독이 상호 독립적으로 이루어지며, 압전층에 전압을 인가함으로써 자유 강자성체의 자화방향을 역자왜현상(inverse magnetostriction)을 이용하여 평면방향 또는 평면방향에 수직한 방향으로 제어하여 정보를 기록하는 비휘발성, 초고집적, 초절전형 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자 및 이를 이용한 정보의 기록 및 판독 방법을 제공하기 위한 것으로, 그 기술적 구성은 전기전도성 기저전극에 있어서, 전기전도성 기저전극에 구비되는 양(+) 전극과 음(-) 전극을 갖는 두 개의 기록선에 좌, 우 각 면이 접촉하도록 배치되는 압전층과; 상기 압전층의 하부에 배치되고 양(+) 전극과 음(-) 전극을 분리시키도록 이루어지는 절연층과; 상기 절연층의 상부에 배치되는 수평방향과 수직방향의 자화상태를 가지는 자유 강자성층과; 상기 자유 강자성층의 상부에 배치되는 비 자성층과; 상기 비 자성층의 상부에 배치되는 고정 강자성층과; 상기 고정 강자성층의 상부에 배치되는 반 강자성층과; 서로 수직한 두 개의 전기전도성 판독선; 및 상기 두 개의 전기전도성 판독선 중 어느 하나의 판독선이 상기 고정 강자성층의 상부에 배치되고, 다른 하나의 판독선이 상기 양(+) 전극의 전기전도성 기저전극 절연층 상부에 배치되게 이루어지는 것을 특징으로 한다. MRAM, 기저전극, 압전층, 절연층, 자유 강자성층, 비 자성층, 고정 강자성층, 반 강자성층, 전기전도 판독선
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자 1020040110458 (2004.12.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0754930-0000 (2007.08.28)
공개번호/일자 10-2006-0071955 (2006.06.27) 문서열기
공고번호/일자 (20070903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.22)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 비스완,라빈드라나쓰 인도 대전광역시 유성구
2 정종률 대한민국 대전광역시 유성구
3 신성철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0606536-37
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0642240-07
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018238-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0218767-47
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0428070-12
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0513730-10
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0594617-80
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0674733-22
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0754288-60
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0847003-24
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0939526-71
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0056670-50
14 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0148502-89
15 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0216397-09
16 의견서
Written Opinion		 2007.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0254553-16
17 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0254552-60
18 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0459560-79
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기전도성 기저전극에 있어서,전기전도성 기저전극(10)에 구비되는 양(+) 전극과 음(-) 전극을 갖는 두 개의 기록선(10a, 10b)에 좌, 우 각 면이 접촉하도록 배치되는 압전층(20)과;상기 압전층(20)의 하부에 배치되고 양(+) 전극과 음(-) 전극을 분리시키도록 이루어지는 절연층(30)과;상기 절연층(30)의 상부에 배치되는 수평방향과 수직방향의 자화상태를 가지는 자유 강자성층(40)과; 상기 자유 강자성층(40)의 상부에 배치되는 비 자성층(50)과;상기 비 자성층(50)의 상부에 배치되는 고정 강자성층(60)과;상기 고정 강자성층(60)의 상부에 배치되는 반 강자성층(70)과;서로 수직한 두 개의 전기전도성 판독선(80); 및상기 두 개의 전기전도성 판독선(80) 중 어느 하나의 판독선(80a)이 상기 고정 강자성층(60)의 상부에 배치되고, 다른 하나의 판독선(80b)이 상기 양(+) 전극의 전기전도성 기저전극(10) 절연층(30) 상부에 배치되게 이루어져 기록과 판독이 각각 독립적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 전기전도성 기저전극(10)이 Si기판 위에 SrRuO3의 금속산화 전극층이 증착되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전기전도성 기저전극(10)과 절연층(30)과 압전층(20) 및 Si 기판이 상호 격자 불일치를 최소화하여 에피 성장을 가능하게 하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 전기전도성 기저전극(10)의 각 기록선(10a, 10b)이 절연층(30)에 의하여 절연되고, 각 기록선(10a, 10b)의 측면을 사이에 두고 절연층(30)이 배열되게 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 절연층(30)이 SrTiO3로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 압전층(20)이 PZT계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 압전층(20)이 PLZT, BLT, SBT계 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 자유 강자성층(40)이 Co와 Pd의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 자유 강자성층(40)이 Co, Fe, Ni, Tb로 구성되는 A군과 Co, Fe, Ni, C로 구성되는 B군과 Sm, Dy, Tb로 구성되는 C군의 합금 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 비 자성층(50)이 Cu와 Ru의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
11 11
제1항에 있어서, 상기 고정 강자성층(60)이 Ni와 Fe의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
12 12
제11항에 있어서, 상기 고정 강자성층(60)이 Co와 Pd의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
13 13
제11항에 있어서, 상기 고정 강자성층(60)이 Co, Fe, Ni, Tb로 구성되는 A군과 Co, Fe, Ni, C로 구성되는 B군과 Sm, Dy, Tb로 구성되는 C군의 합금 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
14 14
제11항에 있어서, 상기 고정 강자성층(60)이 Pt와 Mn 및 인공 반강자성체로 대체되게 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
15 15
제1항에 있어서, 상기 반 강자성층(70)이 Pt와 Mn의 합금박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
16 16
제15항에 있어서, 상기 반 강자성층(70)이 Co와 Fe의 합금박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
17 17
제1항에 있어서, 상기 두 개의 전기 전도성 판독선(80a, 80b)이 Cu로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
삭제
23 23
MRAM 소자에 양(+) 전극과 음(-) 전극으로 이루어지는 각 기록선(10a, 10b)에 전압을 인가하는 단계(S1-1)와, 상기 각 기록선(10a, 10b)이 교차하는 지점의 압전층(20)에 전기장이 형성되는 단계(S1-2)와, 상기 압전층(20)에 발생되는 전기장에 의하여 압전층(20)에 변형이 유도되는 단계(S1-3)와, 상기 압전층(20)에 유도된 변형에 의하여 압전층(20)의 상부에 배치되는 자유 강자성층(40)이 수평자화 상태에서 수직자화 상태로 변하는 단계(S1-4), 및 상기 자유 강자성층(40)에서 발생되는 자화변화가 기록되는 단계(S1-5)를 포함하는 기록 과정과;상호 직각으로 이루어지는 수직방향의 두 개의 전기전도성 판독선(80a, 80b) 중 어느 하나의 판독선(80a)에 전류를 인가하는 단계(S2-1)와, 인가된 전류가 반 강자성층(70), 고정 강자성층(60), 비 자성층(50), 자유 강자성(40)에 순차적으로 전송되는 단계(S2-2)와, 전송되는 전류를 경험하는 저항이 자유 강자성층(40)과 고정 강자성층(60)의 상대적인 자화방향에 따라 변화하는 단계(S2-3), 및 상기 자유 강자성층(40)에 발생되는 자화상태가 판독되는 단계(S2-4)를 포함하는 판독 과정으로 이루어져 MRAM 소자에 기록을 위해 마련된 상기 두 개의 기록선(10a, 10b)과 MRAM 소자에 판독을 위해 마련된 두 개의 판독선(80a, 80b)에 의하여 기록 및 판독이 각각 독립적으로 수행되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자를 이용한 정보의 기록 및 판독 방법
24 23
MRAM 소자에 양(+) 전극과 음(-) 전극으로 이루어지는 각 기록선(10a, 10b)에 전압을 인가하는 단계(S1-1)와, 상기 각 기록선(10a, 10b)이 교차하는 지점의 압전층(20)에 전기장이 형성되는 단계(S1-2)와, 상기 압전층(20)에 발생되는 전기장에 의하여 압전층(20)에 변형이 유도되는 단계(S1-3)와, 상기 압전층(20)에 유도된 변형에 의하여 압전층(20)의 상부에 배치되는 자유 강자성층(40)이 수평자화 상태에서 수직자화 상태로 변하는 단계(S1-4), 및 상기 자유 강자성층(40)에서 발생되는 자화변화가 기록되는 단계(S1-5)를 포함하는 기록 과정과;상호 직각으로 이루어지는 수직방향의 두 개의 전기전도성 판독선(80a, 80b) 중 어느 하나의 판독선(80a)에 전류를 인가하는 단계(S2-1)와, 인가된 전류가 반 강자성층(70), 고정 강자성층(60), 비 자성층(50), 자유 강자성(40)에 순차적으로 전송되는 단계(S2-2)와, 전송되는 전류를 경험하는 저항이 자유 강자성층(40)과 고정 강자성층(60)의 상대적인 자화방향에 따라 변화하는 단계(S2-3), 및 상기 자유 강자성층(40)에 발생되는 자화상태가 판독되는 단계(S2-4)를 포함하는 판독 과정으로 이루어져 MRAM 소자에 기록을 위해 마련된 상기 두 개의 기록선(10a, 10b)과 MRAM 소자에 판독을 위해 마련된 두 개의 판독선(80a, 80b)에 의하여 기록 및 판독이 각각 독립적으로 수행되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압제어 자화반전 기록방식의 MRAM 소자를 이용한 정보의 기록 및 판독 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04533837 JP 일본 FAMILY
2 JP18179891 JP 일본 FAMILY
3 US07283386 US 미국 FAMILY
4 US20060133137 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2006179891 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4533837 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2006133137 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7283386 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.