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다결정 실리콘의 제조장치에 사용되는 불순물 방지막이있는 금속 심재

  • 기술번호 : KST2015113139
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면에 불순물 방지막을 갖는 가열수단인 금속 심재에 있어서, 상기 불순물 방지막은 붕소 질화물(boron-nitride) 또는 탄소 질화물(carbon-nitride)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘용 금속 심재에 관한 것이다. 불순물 방지층이 있는 고융점 금속 심재를 사용하게 되면 직접적으로 전기 가열을 하여 다결정 실리콘을 생산할 수 있기 때문에, 기존 실리콘 심재를 사용할 때 필수적으로 요구되는 예열 장치가 필요 없고, 기존 방법보다 경제적으로 다결정 실리콘을 생산할 수가 있다. 고융점 금속 심재를 사용하여 다결정 실리콘을 생산할 경우 금속 심재의 금속 원소들이 생산된 다결정 실리콘으로 고온 확산되는 현상이 불가피하게 일어나게 되는 문제점을 갖게 된다. 그러나, 본 발명에서는 이러한 금속 심재에서 기인하는 오염문제를 해결하고자 금속 심재에 불순물 방지막을 형성시켰으며, 이에 따라서, 금속 심재의 특성은 유지되면서, 금속 심재에 의해 기인되는 오염은 없는 고순도의 다결정 실리콘을 생산할 수 있게 된다. 다결정 실리콘, 가열 수단 심재, 불순물 방지막
Int. CL C01B 33/035 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)
CPC C01B 33/035(2013.01) C01B 33/035(2013.01) C01B 33/035(2013.01) C01B 33/035(2013.01) C01B 33/035(2013.01)
출원번호/일자 1020080070794 (2008.07.21)
출원인 오씨아이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1096178-0000 (2011.12.13)
공개번호/일자 10-2010-0009950 (2010.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20111222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 오씨아이 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송이화 대한민국 경기도 광명시
2 최준명 대한민국 강원도 춘천시 효
3 박승빈 대한민국 대전광역시 서구
4 김희영 대한민국 대전광역시 유성구
5 양세인 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0523014-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-5107020-34
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2009-5123204-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.12.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0000713-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0319503-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0620855-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0620856-68
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0060931-96
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0241085-73
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0241084-27
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0241083-82
13 등록결정서
Decision to grant
2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0613414-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0038657-99
16 출원인정보변경(경정)신고서
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2013.08.23 수리 (Accepted) 4-1-2013-0038960-18
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5016852-54
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2017-5144608-58
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
표면에 불순물 방지막을 갖는 금속 심재에 있어서, 상기 불순물 방지막은 무정형(amorphous)인 것임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조용 금속심재
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 방지막은 붕소 질화물(boron-nitride)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조용 금속 심재
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 방지막은 실리콘(Si), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 철(Fe), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 크롬(Cr), 바나듐(V) 및 레늄(Re) 중 선택된 2가지 이상의 원소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조용 금속 심재
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속 심재는 몰리브덴의 함량이 10 내지 50 atom%인 텅스텐-몰리브덴 합금을 포함하여 이루어진 것임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조용 금속 심재
5 5
표면에 불순물 방지막을 갖는 가열수단인 금속 심재인 코어수단, 코어수단과 연결된 전극부 및 석출반응기 셸을 포함하는 다결정 실리콘을 제조장치에 있어서, 상기 불순물 방지막은 무정형(amorphous)인 것임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 불순물 방지막은 붕소 질화물(boron-nitride)을 포함하는 것임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조장치
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 불순물 방지막은 실리콘(Si), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 철(Fe), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 크롬(Cr), 바나듐(V) 및 레늄(Re) 중 선택된 2가지 이상의 원소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조장치
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 금속 심재는 몰리브덴의 함량이 10 내지 50 atom%인 텅스텐-몰리브덴 합금을 포함하여 이루어진 것임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조장치
9 9
전극부를 통해 전기를 공급하여, 표면에 무정형(amorphous)인 붕소 질화물(boron-nitride)을 포함하는 불순물 방지막을 갖는 가열수단인 금속 심재인 코어수단을 가열하는 단계; 및 석출반응기 셸에 반응가스를 공급하여 상기 코어수단의 표면에 외부방향으로 실리콘을 석출시킴으로써 실리콘 석출부를 형성시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 금속 심재는 몰리브덴의 함량이 10 내지 50 atom%인 텅스텐-몰리브덴 합금을 포함하여 이루어진 것임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 동양 제철 화학 태양광사업단 고순도 TCS 분리정제 및 태양전지용 Poly-Si 제조 기술확립